ZHCAFF5 June   2025 BQ25756

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2降压和升压充电器中的 MOSFET 功率损耗
    1. 2.1 降压模式损耗
    2. 2.2 升压模式损耗
    3. 2.3 有关 FET 损耗的最终总结
  6. 3使用设计计算器评估 MOSFET
    1. 3.1 将 MOSFET 数据表参数与设计计算器参数相关联
    2. 3.2 设计计算器 MOSFET 比较示例
  7. 4BOM 评估
  8. 5总结
  9. 6参考资料

使用设计计算器评估 MOSFET

BQ25756 设计计算器可用于所有 BQ2575X 系列器件。该计算器可帮助进行电阻器编程、IC 设置和 BOM 选择。该计算器还可获取有关运行条件、BOM 和系统要求的用户输入,以评估功率损耗和效率。请注意,该计算器不考虑其他来源的功率损耗,例如磁芯损耗或铜走线损耗。效率计算器最适合用于将一个 FET 与另一个 FET 进行比较。

该计算器还包含热敏电阻鉴定选项卡,用于评估各种温度充电窗口的最小/典型/最大温度下降和上升阈值。此选项卡可用于根据相关应用选择热敏电阻,但本节重点介绍该计算器的功率损耗/效率选项卡。

若要使用该计算器,请忽略有关循环引用的警告,并填写黄色单元格。带红色选项卡的单元格包含有关相邻单元格的其他信息。红色单元格突出显示了可能有问题的单元格。填写设计计算器中的所有黄色单元格后,可以使用效率/功率损耗分析器部分来绘制两个 MOSFET 的效率、检测电阻损耗和功率损耗图。

图 3-1 显示输入电压最大值超出工作范围。因此,文字显示为红色。当光标悬停在红色选项卡上时,将显示说明文本。

 BQ2575x 设计计算器示例图 3-1 BQ2575x 设计计算器示例