ZHCAFF5
June 2025
BQ25756
1
摘要
商标
1
简介
2
降压和升压充电器中的 MOSFET 功率损耗
2.1
降压模式损耗
2.2
升压模式损耗
2.3
有关 FET 损耗的最终总结
3
使用设计计算器评估 MOSFET
3.1
将 MOSFET 数据表参数与设计计算器参数相关联
3.2
设计计算器 MOSFET 比较示例
4
BOM 评估
5
总结
6
参考资料
6
参考资料
德州仪器 (TI)，
GaN to the rescue! 第 1 部分：Body-diode reverse recovery
，技术文章
德州仪器 (TI)，
BQ25756：Standalone/I
2
C Controlled, 1- to 14-Cell Bidirectional Buck-Boost Battery Charge Controller
，数据表
德州仪器 (TI)，
BQ25750：Standalone/I
2
C Controlled, 1- to 14-Cell Bidirectional Buck-Boost Battery Charge Controller with Direct Power Path Control
，数据表
德州仪器 (TI)，
BQ25758：I
2
C Controlled, Bidirectional Buck-Boost Controller with Wide Voltage Range
，数据表
德州仪器 (TI)，
BQ25756-Design-Calc
，设计计算器
Vishay，
Measuring Power MOSFET Characteristics
，应用手册