ZHCAFF5 June   2025 BQ25756

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2降压和升压充电器中的 MOSFET 功率损耗
    1. 2.1 降压模式损耗
    2. 2.2 升压模式损耗
    3. 2.3 有关 FET 损耗的最终总结
  6. 3使用设计计算器评估 MOSFET
    1. 3.1 将 MOSFET 数据表参数与设计计算器参数相关联
    2. 3.2 设计计算器 MOSFET 比较示例
  7. 4BOM 评估
  8. 5总结
  9. 6参考资料

5 总结

BQ2575x 系列器件可用于为各种应用创建高效的充电器系统。这些系统的效率会因系统运行条件和 BOM 选择（尤其是 MOSFET 选择）而异。需要仔细查看和考虑 MOSFET 的数据表参数，尤其是栅极电荷参数和 RDS(ON)。MOSFET 的使用方式会影响这些参数，因此还需要考虑开关频率、栅极驱动电压和输出负载等运行条件。