ZHCAFF5 June   2025 BQ25756

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2降压和升压充电器中的 MOSFET 功率损耗
    1. 2.1 降压模式损耗
    2. 2.2 升压模式损耗
    3. 2.3 有关 FET 损耗的最终总结
  6. 3使用设计计算器评估 MOSFET
    1. 3.1 将 MOSFET 数据表参数与设计计算器参数相关联
    2. 3.2 设计计算器 MOSFET 比较示例
  7. 4BOM 评估
  8. 5总结
  9. 6参考资料

2.3 有关 FET 损耗的最终总结

根据这些公式可以推断，当充电电流较低时，开关损耗更高。随着电流增加，导通损耗也会增加，导通损耗成为公式中的主要损耗项。如何选择高效 FET 可能取决于充电器的开关频率和平均充电电流。

此外，建议限制开关节点电容，以便符合以下要求：

方程式 37. CswnF<160Vin

如果 Vin 为 60V，建议将总开关节点电容 (Csw) 保持在 2.67nF 以下。这可以减轻开关损耗，并且是确保器件正常运行的一项要求。

为便于参考，表 2-1 中列出了 BQ2575X 的栅极驱动器电阻 Ron 和 Roff 以及死区时间 (tdead_time)。死区时间可调整为 45ns、75ns、105ns 或 135ns。

表 2-1 BQ2575X IC 的栅极驱动器特性
参数典型值
Ron3.4Ω
Roff1.0Ω
tdead_time（两侧）45ns