ZHCAFF5 June 2025 BQ25756
3.2 设计计算器 MOSFET 比较示例
为了便于举例，这里使用设计计算器比较 TI 推荐的 SiR680LDP 和 SiR880BDP 这两个 MOSFET，将其作为自定义 MOSFET。在本例中，对其使用了以下运行条件：
所有其他输入参数保留为默认值。
表 3-1 设计计算器运行条件示例
| 参数 | 值 |
|---|---|
| VIN（最小值） | 5V |
| VIN（标称值） | 10V |
| VIN（最大值） | 50V |
| VBAT | 21V |
| Vext_drv | 10V |
| Iout | 8A |
| fsw | 200kHz |
| Rfsw | 200kΩ |
| ISAT | 19A |
| 选择的电感，L | 10μH |
| 选择的电感器 DCR | 12mΩ |
然后，根据这些运行条件，得到以下效率和功率损耗图。
填充黄色单元格后，计算器可以绘制这些图。图 1 是建议使用的 SiR680LDP，图 2 是 SiR880BDP。
图 3-3 用于比较 MOSFET 的设计计算器效率和损耗图在本例中，由于栅极电容和输出电容较低，SiR880BDP MOSFET（如图 2 所示）在较轻负载下可实现较高的效率。较低的电容可减小开关损耗。在较高负载下，导通损耗大于开关损耗，并且由于 RDS(ON) 较低，SiR680LDP 效率更高。