下面的测试配置是为了考察在设计的测量条件下，I_B 的分辨率能达到多少。如图 3-1 所示，点对点接线自集成电路包含极少数量的器件，例如去耦电容器和集成电容器。唯一的主要漏电路径是集成电容器。由于空气是绝缘性能最好的材料之一，因此我们依靠它来获取基准数据。

图 3-1 OPA928 SOIC 点对点接线

图 3-2 点对点接线原理图

如上一节所示，输入偏置电流模型是流入电容器的直流电流。因此，电容器上的电压随时间的变化表示 I_B 大小。该值乘以电容就是电流，单位为安培。

100 个样本的数据采集速率为 6SPS，计算 Vout 随时间变化的斜率 dV/dt。乘以集成电容器 31.7pF，I_B 图形如下。整个三天测量的平均值为 0.387fA 至 0.397fA。

图 3-3 使用点对点接线时 I_B 随时间变化的路线测量

如前所述，库仑计的优势之一是，该仪表可随时间推移对电流流量求平均值；积分时间越长，噪声越低，测量分辨率越高。

查看随时间变化的数据有助于了解库仑计电路中会出现哪些误差。图 3-4 中所示的测量结果展示了初始条件对电路的影响。每个数据点都是局部导数，图的起始值为 –0.8V。曲线的导数在前几个小时内会发生变化。数据从 395aA 开始，最终达到 400aA。

图 3-4 使用点对点接线时 I_B 随时间变化的精细测量

测得电流与电压（电容器两端的电压）关系的拟合曲线提供了集成电容器的电阻，值为 649PΩ。当输出电压超过零伏时，由于电容器上的电压接近零，因此漏电流达到最低。在零伏曲线交叉处测得的电流表示电容器上的最小漏电流，值为 395aA。基准测试数据以数十安的分辨率提供 I_B 数据。

图 3-5 使用点对点接线时 I_B 随 Vout 的变化曲线

基准测试数据以数十安的分辨率提供 I_B 数据。