ZHCAEO4 November   2024 OPA186 , OPA206 , OPA210 , OPA2210 , OPA328 , OPA391 , OPA928

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1输入失调电压 (VOS) 定义
    1. 1.1 输入失调电压漂移 (dVOS/dT) 定义
    2. 1.2 放大器内部的 VOS 和 VOS 温度漂移
    3. 1.3 通过激光修整调节性能
    4. 1.4 通过封装修整 (e-Trim™) 调节性能
  5. 2输入偏置电流 (IB) 定义
    1. 2.1 放大器内部的输入偏置电流 (IB) 和 IB 温度漂移
    2. 2.2 根据 IB 推导 VOS
    3. 2.3 内部偏置电流消除
    4. 2.4 超 β 输入晶体管
  6. 3影响失调电压的其他因素
    1. 3.1 有限开环增益 (AOL)
    2. 3.2 共模抑制比 (CMRR)
    3. 3.3 电源抑制比 (PSRR)
    4. 3.4 AOL、CMRR 和 PSRR 随频率的变化
    5. 3.5 电磁干扰抑制比 (EMIRR)
    6. 3.6 机械应力引起的失调电压变化
    7. 3.7 寄生热电偶
    8. 3.8 焊剂残留物和清洁度
  7. 4可更大限度地减小 VOS 和 VOS 漂移的零漂移放大器
  8. 5VOS、IB 和增益误差校准
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录

1.1 输入失调电压漂移 (dVOS/dT) 定义

输入失调电压是在室温 (25°C) 和整个温度范围内指定的（VOS 漂移或 dVOS/dT）。对于精密器件，典型的 VOS 漂移最大规格范围为 0.001µV/°C 至 5µV/°C。成本优化型和高速器件通常未针对输入失调电压和 VOS 温度漂移进行优化，因此其漂移可能高达 100µV/°C（请参阅表 1-1）。可以通过将相对于 25°C 的温度变化乘以 VOS 漂移项来估算由于 VOS 漂移而引起的失调电压变化，ΔVOS = (dVos/dT)(T - 25°C)。由温度漂移引起的失调电压变化会增加初始室温 VOS。该计算假设放大器 VOS 漂移在温度范围内呈线性，但并非所有放大器都是如此。某些放大器数据表提供了 VOS 与温度间的关系图，这有助于了解漂移的线性度。图 1-4 展示了在 125°C 温度下针对 OPA2205 进行的该计算，其中使用规定的最大失调电压和漂移。在该示例中，室温 VOS 为 15μV，VOS 漂移为 20μV，125°C 时的总 VOS 为 35μV。

OPA206 OPA2205 的最大输入失调电压漂移模型和计算图 1-4 OPA2205 的最大输入失调电压漂移模型和计算
方程式 9. T   =   125 ℃
方程式 10. G = R F R G + 1 = 99 k Ω 1 k Ω + 1 = 100 V / V
方程式 11. V O S T = V O S 25 ℃ - d V O S d T T   -   25 ℃
方程式 12.   V O S 125 ℃ = 15 μ V - 0.2 μ V / ℃ 125 ℃   -   25 ℃   =   35 μ V
方程式 13. V O U T = V O S G = 35 μ V ( 100 V / V ) = 3.5 m V
表 1-1 不同放大器类型的 VOS 和 VOS 漂移范围
运算放大器 VOS（最大值）（高等级） VOS 漂移（最大值）（高等级） 技术

OPA387

2µV

0.012µV/°C

低压零漂移 CMOS

OPA182

4µV

0.012µV/°C

高压零漂移 CMOS

OPA2186

10µV

0.04µV/°C

24V 零漂移 CMOS

OPA192

25µV

0.5µV/°C

e-Trim™ 高压 CMOS

OPA210

35µV

0.5µV/°C

超 β 双极

OPA827

150µV

1.5µV/°C

JFET 输入，激光修整，双极

OPA828

300µV

1.3µV/°C

DiFET (JFET)，激光修整

LMV841

500µV

5µV/°C

12V CMOS

OPA835

1.85mV

13.5µV/°C

高速双极

LM741

3mV

15µV/°C

双极商用级（成本较低）