ZHCAEL4 October   2024 AM263P2-Q1 , AM263P4 , AM263P4-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2OptiFlash 技术
  6. 3OptiFlash 硬件加速器
    1. 3.1 RL2_OF 加速器
      1. 3.1.1 RL2 闪存高速缓存
      2. 3.1.2 FLC - 快速本地复制（映像下载加速）
      3. 3.1.3 基于区域的地址转换 (RAT)
    2. 3.2 FSS 加速器
      1. 3.2.1 动态功能安全引擎
      2. 3.2.2 动态信息安全引擎
      3. 3.2.3 FOTA 硬件引擎
  7. 4OptiFlash 软件工具
    1. 4.1 智能放置
    2. 4.2 智能布局
    3. 4.3 OptiShare
    4. 4.4 动态叠加
  8. 5基准测试和性能数据
  9. 6OptiFlash 加速器的用例
  10. 7开始使用 OptiFlash
  11. 8结语

1 引言

从目前来看，由于闪存编程和擦除需要高压电路，在同一裸片上嵌入闪存的传统 MCU（如图 1-1 所示）无法超越 22nm 技术节点。基于闪存的工艺也成本高昂，因为使用深亚微米级数字 CMOS 技术在 MCU/SOC 裸片上集成嵌入式闪存需要大量掩模。因此，这些 MCU 只适用于较旧的工艺节点（例如 28nm、40nm、65nm……）。

此外，还出现了其他新的 NVM 技术，如 MRAM、RRAM 等，但即使是这些技术也还不能满足汽车等高可靠性应用的需要。


传统 MCU

图 1-1 传统 MCU

高性能 MCU（如高性能 MCU 所示）使用外部闪存存储器器件，通常会在启动期间将整个映像下载到 SRAM。根据目标应用的处理性能需求和功耗需求，这些 MCU 适用于未搭载闪存技术的工艺节点（例如，低至 3nm/5nm 的较新工艺节点或 45nm 等定制节点）。此外，由于只采用闪存的工艺节点，使用单独闪存器件的成本会更低。这些 MCU 的最常见缺点是 SRAM 大小较大（不低于应用软件映像大小）和引导/启动时间较长，因此成本也较高。


高性能 MCU

图 1-2 高性能 MCU