2 OptiFlash 技术

TI 提供了一种与众不同的存储器技术，即 OptiFlash 技术，可通过片上 SRAM 和外部闪存的合理组合，实现一种高性能、低成本的解决方案。集成了 OptiFlash 技术的 SoC（如图 2-1 所示）旨在解决采用外部闪存的传统高性能 MCU 所面临的局限性，可提供从内部 SRAM 执行和直接从外部闪存执行（也称为就地执行 (XIP)）的混合执行能力，目标是使外部闪存的 XIP 性能达到内部 SRAM 的性能。这种解决方案的主要成本优势在于，内部 SRAM 的大小现在可以小于应用映像的大小，而且由于掩膜数量减少和设备更便宜，没有嵌入式闪存/NVM 的硅片成本要低得多。这种解决方案还可根据客户的需求，在板载存储器大小（MB 级）和器件数量方面提供可扩展性。

从外部闪存执行时会带来一系列需要解决的难题，例如：性能、功能安全、信息安全、启动时间和固件升级。如图 3-1 所示，集成在 MCU/SoC 芯片中的 OptiFlash 解决方案提供了一组创新的硬件 (HW) 加速器和软件 (SW) 工具，旨在克服从外部闪存执行时面临的所有上述挑战。OptiFlash 可以寻址高达 128MB 的外部闪存，同时能够尽可能降低系统 BOM 成本。