ZHCADD2 November   2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 引言
  5. 2 自举过充
  6. 3 自举过充建模
  7. 4 更改自举元件
  8. 5 齐纳二极管法
  9. 6 肖特基二极管法
  10. 7 过压钳位方法
  11. 8 有源开关方法
  12. 9 同步 GaN 自举方法
  13. 10防止自举过充的其他方法
    1. 10.1 缩短死区时间
    2. 10.2 选择辅助电源
    3. 10.3 调整栅极电压
  14. 11总结
  15. 12参考文献

摘要

与 MOSFET 相比，GaN FET 在开关特性方面具有许多优势。但是，GaN FET 也面临一些独特的挑战，必须解决这些挑战才能实现卓越性能。其中一个挑战是半桥拓扑中的自举过充。

电路设计人员使用多种方法来解决自举过充问题。本文档比较了这些自举过充预防方法，包括集成在半桥 GaN 驱动器（例如 LMG1205、LM5113-Q1 和 LMG1210）中的方法。