ZHCADD2 November 2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210
缩短死区持续时间可以减少 Qin。在不改变 Qout 的情况下，较低的 Qin 会导致 Cboot 上的稳态电压较低。缩短死区时间通常有利于减少过充和死区时间损耗。然而，缩短死区时间会增加击穿的风险，并且负载和温度条件需要裕度。此外，许多控制器不具备对时序进行可靠的 1ns 调整的精度。
鉴于此，精确的死区时间控制对于 GaN 半桥驱动器中的自举过充预防至关重要。除了前面讨论的内置自举过充预防电路之外，LMG1210 还具有纳秒级和可调节的死区时间控制功能。如需更多信息，请参阅通过 LMG1210 GaN 驱动器的死区时间控制优化效率 应用手册。