ZHCADD2 November   2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 引言
  5. 2 自举过充
  6. 3 自举过充建模
  7. 4 更改自举元件
  8. 5 齐纳二极管法
  9. 6 肖特基二极管法
  10. 7 过压钳位方法
  11. 8 有源开关方法
  12. 9 同步 GaN 自举方法
  13. 10防止自举过充的其他方法
    1. 10.1 缩短死区时间
    2. 10.2 选择辅助电源
    3. 10.3 调整栅极电压
  14. 11总结
  15. 12参考文献

10.3 调整栅极电压

负栅极电压在许多大功率系统中很常见，可提高 FET 对误导通的抗扰度。负栅极电压会在关断状态电压和 FET 的阈值电压之间产生更大的裕度。该电压裕度使 FET 能够在不引起击穿的情况下耐受更多的米勒电流注入。负栅极电压普遍用于 IGBT 和 SiC FET；许多 SiCFET 数据表都将负栅极偏置列为一项要求。

GaN FET 不需要负栅极偏置，但使用负栅极偏置具有与 SiCFET 相同的优势。负栅极电压的缺点是，它会在死区时间内增加负电压，从而增加过度充电和损耗。使用米勒钳位等方法而非负偏置，可以提高米勒抗扰度，而不会出现过度充电问题。