2 自举过充

死区时间期间产生的负电压会带来一些后果。首先，负电压会造成损耗，因为低侧 FET 必须耗散 VSD 乘以 IL。其次，负电压会导致自举电路上出现过充，该电路通常用于为高侧 FET 提供偏置。通常，当低侧 FET 导通且 HS 节点接近 0V 电流 (Iboot) 时，自举电容器 (Cboot) 充电，然后电流从 VDD 流过自举二极管，将 Cboot 电容器充电至 VDD。有关自举电路的进一步说明，请参阅针对半桥配置的自举电路选择。

在死区时间内，Cboot 上的电势可能会增加到 VDD 加上负电压，在许多情况下很容易超过 6V 至 7V。这意味着自举电容器过充至高于 VDD 的电压。这种类型的过充可用于所有半桥配置，而不仅仅是使用 GaN FET 的配置。然而，GaN FET 的敏感栅极往往只能处理最高 6V 至 8V 的电压，具体取决于结构。因为 GaN 半桥具有更高的负 HS 电压并且对过充的敏感性更高，因此自举过充预防至关重要。LM5113-Q1、LMG1205 和 LMG1210 等一些半桥栅极驱动器具有集成式自举过充预防电路。