ZHCAD91 October   2023 ATL431 , ATL431LI , TL431 , TL431LI , TLVH432

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2使用并联基准设计 SSR
    1. 2.1 设置输出电压
    2. 2.2 并联基准偏置
    3. 2.3 瞬态响应设计
  6. 3电源注意事项
  7. 4方法
    1. 4.1 并联参考设计
    2. 4.2 精度比较
    3. 4.3 功耗对比
    4. 4.4 瞬态响应比较
  8. 5结果
  9. 6总结
  10. 7参考资料

并联参考设计

用于执行此实验的 UCC28780EVM-021 EVM 最初具有一个带 34kΩ 偏置电阻的 ATL431 分流基准。安装测试探头后,在 40W 负载下测得的平均阴极电压 VKA 为 16.9V。在将新的并联基准焊接到电路板上进行测试时,必须确定新的偏置电流。方程式 3 用于计算所需的新偏置电阻 Rbias,为简单起见,将 16.9V 假定为阴极电压 VKA。IKA(min) 是从新器件的数据表中提取的,Vout 是使用方程式 1 求出的。由于需要使用反馈电流来设置该输出电压,阴极电压 VKA 会根据编程的输出电压进行变化。TLVH432 的内部基准电压较低,为 1.24V,这意味着已编程的输出电压要低得多,因此 R2 降至 10kΩ,从而将已编程的输出电压更改为 19.855V。在 40W 负载下测得的 TLVH432 阴极电压 VKA 为 18.27V,然后在方程式 3 中用其计算偏置电阻 Rbias。为 40W 负载的每个并联基准提供的偏置电阻和偏置电流如表 4-1 所示。

表 4-1 并联基准偏置数据
组件RbiasIbias(40W 负载)IKA(min)Vout(预期)
TL4311.5kΩ0.99mA1mA18.59V
TLVH43214kΩ105.9µA100µA9.10V
ATL43134kΩ44µA35µA18.33V
TL431LI1.5kΩ0.99mA1mA18.32V
ATL431LI19.1kΩ77.96µA80µA

8.35V

以下示波器图像展示了三种负载条件下每个并联基准的稳态性能。

GUID-561A272F-B24C-437E-94D8-290416C7EEE2-low.png图 4-3 TL431 空载
GUID-54334282-089B-4C8B-AE0E-2B9112960623-low.png图 4-5 TL431 40W 负载
GUID-CDC1C033-4056-4CF7-B7CB-64990CD86BC8-low.png图 4-7 TLVH432 20W 负载
GUID-26E313C6-A2AA-4F5C-A35A-22F0EAA5EE00-low.png图 4-9 ATL431 空载
GUID-5866465B-02FE-4004-8119-A2BE5639B53C-low.png图 4-11 ATL431 40W 负载
GUID-C2202D80-58F3-4FB0-812F-26A0BD3E7E01-low.png图 4-13 TL431LI 20W 负载
GUID-C1E743D8-7BBF-4AA3-A3E0-635BED3E26C2-low.png图 4-15 ATL431LI 空载
GUID-615E4C93-3A3C-4F00-A176-B4509D379816-low.png图 4-17 ATL431LI 40W 负载
GUID-52573099-BDB9-4C8D-A185-052EC5869257-low.png图 4-4 TL431 20W 负载
GUID-2709BBA6-F981-4AAE-8A98-0B6ED6975DEE-low.png图 4-6 TLVH432 空载
GUID-9AF23539-E73C-4096-9A83-7A06318CEF0D-low.png图 4-8 TLVH432 40W 负载
GUID-243BFDE1-1277-42AC-8246-80F97A5E46F7-low.png图 4-10 ATL431 20W 负载
GUID-FD2A6067-209F-4515-A623-EF3EC5BD5C4D-low.png图 4-12 TL431LI 空载
GUID-CBE85C53-E4FE-411E-A2DC-9654124D30D6-low.png图 4-14 TL431LI 20W 负载
GUID-F648F340-A91C-40F7-8F59-BE12D87643BB-low.png图 4-16 ATL431LI 20W 负载

我们测量了 Vout,将其作为所展示的各个图的预期编程值,V1 的测量值略低于 Vout。VAnode 和 VKA 在不同的负载条件下发生变化,以修改通过光耦合器二极管的次级侧反馈电流 IFB(secondary)。VKA 的这一变化也降低了在较大负载下提供给并联基准的偏置电流 Ibias,这就是在满载条件下将 Ibias 确定为 IKA(min) 的原因所在。