ZHCAD91 October   2023 ATL431 , ATL431LI , TL431 , TL431LI , TLVH432

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2使用并联基准设计 SSR
    1. 2.1 设置输出电压
    2. 2.2 并联基准偏置
    3. 2.3 瞬态响应设计
  6. 3电源注意事项
  7. 4方法
    1. 4.1 并联参考设计
    2. 4.2 精度比较
    3. 4.3 功耗对比
    4. 4.4 瞬态响应比较
  8. 5结果
  9. 6总结
  10. 7参考资料

4 方法

为了证明某些并联基准相对于其他并联基准的性能改进，TL431、TLVH432、ATL431、TL431LI 和 ATL431LI 都在具有 SSR 的反激式 EVM（评估模块）UCC28780EVM-021 上使用各自所需的偏置电流进行了单独测试。此反激式 EVM 使用图 2-4 中所示的偏置拓扑。本实验将一个电子负载连接到反激式输出，以在空载条件（待机模式）、20W 负载和 40W 负载下测试每个并联基准。此 EVM 由隔离式 120V 60Hz 电源通过隔离变压器和自耦变压器供电。偏置电阻是按照节 2.2中的步骤确定的，其中该电阻设置了 40W 负载下的 Ibias = IKA(min)。在 EVM 上焊接了几个测试点，以正确分析结果，从而确定光耦合器二极管反馈电流 IFB(secondary)、偏置电流 Ibias 和输出电压 Vout。此测试设置如图 4-1 所示，其中展示了正在测试的实际 EVM，而图 4-2 展示了完整的反馈网络，包括测试点和补偿电容器。

GUID-06310168-B518-490D-98DF-4982974D2AAC-low.png图 4-1 EVM 测试板设置
GUID-20230801-SS0I-TSND-KG54-35MLG3RJLPL0-low.svg图 4-2 控制网络探头连接