UCC25640x 的最小可检测压摆率为 100mV/ns。一旦高侧栅极 (HO) 关闭，低侧栅极 (LO) 就会在检测到压摆率后打开。如果错过压摆率检测，死区时间取决于谐振电流极性（节 1.19）。图 1-10 显示了提取死区时间内的压摆率信息的方法 [10]。在该仿真中，以 Infineon IPW6075CP MOSFET 为例。图 1-11 显示了从开关节点拉出 0.7A 电流时的开关节点电压转换。在这里，我们可以观察到开关节点电压在转换期间具有不同的压摆率，这是由于开关节点上出现的非线性电容（图 1-15）造成的。该非线性电容是上部（电压从 0V 变为 390V）和下部（电压从 390V 变为 0V）MOSFET 输出电容的组合，如图 1-13 和图 1-14 所示。使用 SIMetrix 仿真提取每个 MOSFET 的输出电容图。图 1-12 显示了提取结果。

可采用以下方法来改进压摆率检测：

1. 提高 MOSFET 关断速度：大多数设计在 HO/LO 栅极驱动路径中包含一个二极管，以实现独立的导通和关断速度。建议使用此类电路来提高栅极驱动的关断速度。
2. 使用具有较低输出电容 (Coss) 的 MOSFET：较低的输出电容可实现更快的开关节点压摆率。
3. 使用较高的突发模式设置：较高的突发模式设置具有更大的磁化电流幅值，有助于实现 dV/dt 标准（增大突发阈值会使 LLC 突发在突发数据包内具有稍高的功率，并且谐振电流幅值可能更高）。
4. 减小开关节点上的任何缓冲电容
5. 降低变压器的磁化电感以增加轻负载时的磁化电流。