ZHCACG5 march 2023 LMG2610 , UCC28782
2 GaN 价值简介
考虑到最后两个设计要求，GaN 技术可用于解决在管理热性能和高频切换时遇到的挑战。这是通过 GaN 相对于硅拥有的三个主要优势实现的：给定电阻下的电容更小、开关速度更快（不要与开关频率混淆），以及因没有体二极管而实现零反向恢复损耗。
集成 GaN 器件在低栅极电容和栅极电荷（1nC-Ω 对比 Si 4nC-Ω）下的开关速度更快。通过低输出电容和输出电荷（5nC-Ω 与 Si 25nC-Ω）降低开关损耗，并在没有体二极管的情况下消除反向恢复损耗
图 2-1 显示 Cg、Qg、Coss、Qoss、无体二极管的高级 GaN 结构