图 3-3 显示了集成式驱动器中有源 OLD 的电路实现。OUT1 通道的高侧 FET 和 OUT2 的低侧 FET 处于运行状态。基准电压发生器为 OLD 比较器的负极输入端子生成等效的基准电压，而正极端子反映 FET 中的实际电压。如图 3-3 所示，当输出电压（V_{OUT1_HS} 和 V_{OUT2_LS}）变得大于比较器的基准电压 (V_{OL_REF}) 时，OL1_HS 和 OL2_LS 的输出设置为“1”，

在此示例中，基准 FET 是连接到电流基准源 (I_{OL_REF}) 的四个 FET 中的任何一个。V_{OL_REF} 由 I_{OL_REF} 和基准 FET 的导通状态电阻 (R_{DS(ON)_REF}) 决定。现在，V_{OUT1_HS} 和 V_{OUT2_LS} 由通过 FET（用于驱动负载）的电流和导通状态电阻 (R_DS(ON)) 决定。当发生 OLD 事件时，通过 FET 的电流必须大于 OLD 电流阈值。对于这些公式，通过 FET 的电流称为 I_OL。因此，通过将所有这些参数放入Equation14 中，可以将公式 V_{OL_REF} 修改为：

因此，可以通过以下公式计算 I_OLD：

Equation16 显示了 OLD 取决于基准 FET 与用于驱动负载的 FET 的导通状态电阻比。

通过代入导通状态电阻比 (450:1) 和基准发生器下拉电流 (20µA) 的值，可以通过以下公式计算 OLD 电流阈值：

这样，如果进行 OLD 时通过负载的电流大于 9mA，则会登记一个 OLD 事件。

对于 DRV8873、DRV8873-Q1 和 DRV824x-Q1 器件中的电路实现，图 3-4 显示了 DRV8873/DRV8873-Q1 的有源 OLD 的电路实现。对于 OL1_HS 比较器，如果高侧驱动 FET 两端的漏源电压小于 V_{OL_HS} OLD 阈值，则 OLD1_HS 输出设置为“1”并检测到 OLD。对于 OL2_HS 比较器，如果体二极管电压 (V_D) 小于 V_{OL_HS} OLD 阈值，则 OLD2_HS 输出设置为“1”并检测到 OLD。由于电流通过体二极管再循环 (I_OL)，因此体二极管电压 (V_D) 将取决于 I_OUTX 以发生 OLD。

这也依赖于运行条件和外部电路（如输出电容器），对于这种情况，即使存在负载，也可能导致报告 OLD。这种情况可能在方向改变期间，或分别在小负载电流和小 PWM 占空比条件下发生。

图 3-5 显示了 DRV824x-Q1 的有源 OLD 的电路实现。器件可以在高侧再循环期间检测有源状态下的开路负载。这包括直接连接到 VM 或通过另一个半桥上的高侧 FET 进行连接的高侧负载。在 PWM 开关转换期间，当 LS FET 关闭时，电感负载电流通过 HS 体二极管再循环到 VM。该器件在 HS FET 开启之前的短暂死区时间内在 OUTx 上寻找高于 VM 的电压尖峰。为了观察电压尖峰，此负载电流需要高于由 FET 驱动器置位的输出上的下拉电流 (IPD_OLA)。如果连续“3”个再循环开关周期没有出现此电压尖峰，则表明负载电感损失或负载电阻增加，并被检测为有源开路检测故障。

最后，当在栅极驱动器中使用有源 OLD 时，电容器必须放置在负载相位节点和 GND 之间。BLDC 电机以及相位节点处的双向和单向 BDC 电机需要使用这些电容器。如果连接了螺线管负载，则不需要电容器。电容器的大小必须为：

其中，V_TH 是 FET 的阈值电压，DRV8343-Q1 和 DRV8340-Q1 中的 V_OLA(min) 为 150mV。FET 的值 C_rss 和 C_oss 应该用于 0V V_DS。选择电容时，必须考虑 C_phase 的降额。