ZHCABM2 May   2022 DP83TC811S-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 2硬件配置
    1. 2.1 原理图
  5. 3软件配置
  6. 4测试 PMA
    1. 4.1 PMA 测试步骤
  7. 5测试 IOP：链路建立和链路断开
    1. 5.1 IOP 测试步骤
  8. 6测试 SQI
    1. 6.1 SQI 测试步骤
    2. 6.2 链路质量的 SQI 映射
  9. 7测试 TDR
    1. 7.1 TDR 测试步骤
  10. 8测试 EMC/EMI
  11. 9修订历史记录

2.1 原理图

原理图和 MDI 的正确元件、参考时钟和功耗网络对于 100Base-T1 PHY 的性能都非常重要。本节记录了 OA TC1 测试期间使用的建议原理图和元件值。

图 2-1 电源网络
表 2-1 电源参数、元件和值
参数/元件 容值
VDDIO 1.8V、2.5V 或 3.3V
去耦电容器 VDDIO 10nF、100nF、1uF、10uF
（可选）铁氧体磁珠 VDDIO 100MHz 下为 1kΩ (BLM18AG102SH)
VDDA 3.3V
去耦电容器 VDDA 10nF、100nF、1uF、10uF
（可选）铁氧体磁珠 VDDA 100MHz 下为 1kΩ (BLM18AG102SH)
图 2-2 MDI 和晶体原理图
表 2-2 晶体和 MDI 参数、元件和值
参数/元件容值
滤波器 - R1、R2（1% 精度） 22 Ω
滤波器 - C1、C2（2% 精度） 22pF
滤波器 - C3、C4（2% 精度） 47pF
滤波器 - L1、L2（2% 精度） 120nH
直流阻断电容器（1% 精度，100V）0.1μF
共模扼流圈TDK：ACT1210L-201
TDK：ACT45L-201
Murata（村田）：DLW32MH201XK2
Murata（村田）：DLW43MH201XK2L
Pulse：AE2002
共模端接电阻器（1% 精度，0.75W，尺寸：2010）1kΩ
MDI 耦合电容器4.7nF
ESD 分流器（5% 精度，0.125W，尺寸：0805）100kΩ
隔离电阻器 1（0.25W，尺寸：1206）0Ω
隔离电阻器 2（0.25W，尺寸：1206）0Ω
隔离电容未组装
晶体
R_XI100Ω
R_XO

200Ω

可以看到，添加串联电阻器可使晶体振荡器更不易受到电路板寄生效应和噪声的影响，帮助实现快速启动。

TI 建议使用值为 200ohms 的电阻器。因为此电阻器控制晶体功率，因此在选择其值时应当咨询晶体供应商。