3 去耦电容器

所有 PCB 布线均已定义阻抗，在各设计阶段都必须考虑这些阻抗。这些信号路径将作为电路板中的附加元件。另外，PCB 线路具有可导致不同功率分布的寄生电感和电容。

为减少所有这些寄生阻抗的负面影响，TI 建议，VBAT 和 VDD 去耦电容器连接应遵循以下规则：

• 在同一层且靠近器件引脚的地方放置去耦电容器。去耦电容器存储本地电荷，并在需要时提供较大瞬态电流。TAS2563 器件具有许多开关活动和电压波动，需要在短时间内产生较大电流瞬态。此外，由过孔、迹线和焊盘引起的寄生效应会在电源中产生压降。将去耦电容器靠近电源引脚放置，可补偿这些影响，并在需要时提供较大的瞬态电流。对于多层板，电容器应放置在 TAS2563 器件所在层。否则，因过孔连接而产生的附加电容可能会降低去耦电容值。

• 将去耦电容器放置在尽可能靠近 VDD 和 GND 过孔的地方。如果可能，将过孔直接放置在电容器安装焊盘上或其附近。过孔定义阻抗取决于其长度和直径。该阻抗可能导致压降（在高频应用中，信号完整性受显著影响）和电流，必须减小或加以避免。因此，TI 建议，在安装焊盘周围增加多个过孔。这种方法可降低寄生阻抗。

图 3-1 去耦电容器