ZHCAB95B October   2020  – October 2021 TMAG5110 , TMAG5110-Q1 , TMAG5111 , TMAG5111-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 22D 霍尔效应的锁存响应
  5. 3两轴传感器注意事项
    1. 3.1 磁体选择
      1. 3.1.1 磁极数量
      2. 3.1.2 磁体强度
    2. 3.2 传感器选择
      1. 3.2.1 灵敏度轴
        1. 3.2.1.1 平面内传感器对齐
        2. 3.2.1.2 平面外传感器对齐
      2. 3.2.2 传感器放置
        1. 3.2.2.1 同轴磁场
        2. 3.2.2.2 平面内磁场
        3. 3.2.2.3 平面外磁场
      3. 3.2.3 灵敏度选择
  6. 4优化精度
    1. 4.1 优化放置以提高精度
    2. 4.2 优化磁体以提高精度
  7. 5应用实现
  8. 6总结
  9. 7参考文献
  10. 8修订历史记录

2 2D 霍尔效应的锁存响应

首先应考虑 2D 锁存相对于输入磁通密度的输出响应。

TMAG5110 和 TMAG5111 各集成了两个锁存器，其结果更新通过 OUT1 和 OUT2 输出。因此，这两个输出均具有锁存功能。图 2-1 显示了这两个输出分别对不同磁极的响应。TMAG5111 输出并未直接连接到两个集成锁存器。另外还增加了额外的计算来输出速度和方向。

GUID-20210112-CA0I-LFBG-4TZB-QQSJCQRSTLRB-low.gif图 2-1 锁存器功能

图 2-2 显示了 TMAG5110 和 TMAG5111 对正弦场的响应。正弦曲线表示所观察到由旋转磁体产生的磁场。

TMAG5110 响应显示了这两个输出对此信号的响应为：在磁场超过 BOP 后变为低电平；同样，仅当磁场分量以相反方向跨过 BRP 时，这两个输出才均会变为高电平。

TMAG5111 响应显示了这两个信号如何用于产生与输出相同的速度和方向。

GUID-20210111-CA0I-XB5J-7RVF-W2BTDMHTVL9P-low.gif图 2-2 输出行为