ZHCAB95B October   2020  – October 2021 TMAG5110 , TMAG5110-Q1 , TMAG5111 , TMAG5111-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 22D 霍尔效应的锁存响应
  5. 3两轴传感器注意事项
    1. 3.1 磁体选择
      1. 3.1.1 磁极数量
      2. 3.1.2 磁体强度
    2. 3.2 传感器选择
      1. 3.2.1 灵敏度轴
        1. 3.2.1.1 平面内传感器对齐
        2. 3.2.1.2 平面外传感器对齐
      2. 3.2.2 传感器放置
        1. 3.2.2.1 同轴磁场
        2. 3.2.2.2 平面内磁场
        3. 3.2.2.3 平面外磁场
      3. 3.2.3 灵敏度选择
  6. 4优化精度
    1. 4.1 优化放置以提高精度
    2. 4.2 优化磁体以提高精度
  7. 5应用实现
  8. 6总结
  9. 7参考文献
  10. 8修订历史记录

6 总结

TMAG5110 和 TMAG5111 等二维霍尔效应锁存器提供了一种实用的方法来测量增量旋转编码应用的正交。这些器件使用户能够选择最为理想的灵敏度轴，并可以放在同轴上、平面内或平面外。器件灵敏度和相位对齐是使用分立式传感器时的常见误差源，而这些器件通过在单个封装内集成两个正交传感器，提供了出色的匹配和多个灵敏度轴，因此在匹配器件灵敏度和相位对齐上所需工作极少。

通过了解磁场以及其与二维双通道霍尔效应锁存器正交结果的关系，可以进一步改善这些应用中的性能。通过仔细研究放置和磁体选择，可以最大限度地减少总测量误差。在理解这一点后，便可以找到改善正交对齐和精度的有效方法。

在选择对齐后，建议沿着单个轴调整传感器的位置，直到将测试配置中的正交误差降至最小。若要采用集成到现有应用中的传感器进行测试，可以考虑使用霍尔适配器 EVM，该 EVM 提供了用于此目的的微型 PCB。如果放置位置变化受限，那么增加磁极数量或磁体强度也可以提供一种替代方案来最大限度地减少系统总测量误差。