整流二极管的额定值必须足以处理导通期间的反向偏置电压，以及次级负载电流。

关断期间该二极管上的反向偏置电压为：

另外，还务必要考虑导通期间该二极管上的正向压降，因为它会限制最大次级输出电压。如果与电感器 DCR 相关的导通损耗忽略不计，那么若要实现 3.3V 的次级输出电压，完全导通期间该二极管上的正向压降应该为：

这里选择了 MURA160 超快整流二极管，因为它在 500mA 条件下具有 1V 正向压降并且结电容较小。次级整流二极管通常使用肖特基二极管，因为这类二极管具有较小的正向压降和较短的反向恢复时间。此应用需要更高的正向压降来实现所需的次级输出电压，因此最好使用超快整流二极管。

另一个容易忽略但同样重要的参数是二极管结电容。此结电容与耦合电感器次级绕组的漏电感一起构成 LC 谐振电路，因此，当高侧 MOSFET 从关断状态变为导通状态时，开关节点上会出现高频振铃。这也是为此应用选择超快整流二极管而不是典型肖特基二极管的另一个原因。超快二极管具有更小的结电容，因此峰值过冲更小，谐振频率也更高，因而更容易实现滤波。为该二极管并联一个简单的 RC 缓冲器就可以缓解这种振铃问题。请参阅Topic Link Label3.7了解详情。