ZHCAA86A October   2020  – February 2021 LMG3422R030 , LMG3422R050 , LMG3425R030 , LMG3425R050

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2新型 QFN 12x12 封装
  4. 3底面冷却配置和 RθJC/P 的定义
    1. 3.1 封装热性能参数 RθJC/P 的定义
    2. 3.2 底面冷却系统的设计建议
  5. 4仿真模型和结果
    1. 4.1 用于热分析的有限元模型
    2. 4.2 热仿真结果
  6. 5实验设置和 RθJC/P 测试结果
  7. 6半桥评估板的 QFN 12x12 封装热性能
  8. 7总结
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录

8 参考文献

  1. Tom S.、Beheshti M. 和 Strydom J.，《GaN 让能源利用率再上新台阶》，2018 年，SSZY034
  2. Brohlin P.、Ramadass Y. 和 Kaya C.，《GaN 器件的直接驱动配置》，2018 年，SLPY008A
  3. https://www.ti.com.cn/zh-cn/power-management/gallium-nitride/products.html 中提供的数据表
  4. Xie Y. 和 Brohlin P.，《使用集成式驱动器优化 GaN 性能》，2016 年，SLYY085
  5. Faraci E. 和 Mao J.，《LMG3410x 系列集成式 GaN FET 高电压半桥设计指南》，2018 年，SNOA946

  6. Dusmez S.、Xie Y.、Beheshti M. 和 Brohlin P.，《GaN 功率级设计的散热注意事项》, 2018 年，SNOAA14