ZHCAA86A October   2020  – February 2021 LMG3422R030 , LMG3422R050 , LMG3425R030 , LMG3425R050

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2新型 QFN 12x12 封装
  4. 3底面冷却配置和 RθJC/P 的定义
    1. 3.1 封装热性能参数 RθJC/P 的定义
    2. 3.2 底面冷却系统的设计建议
  5. 4仿真模型和结果
    1. 4.1 用于热分析的有限元模型
    2. 4.2 热仿真结果
  6. 5实验设置和 RθJC/P 测试结果
  7. 6半桥评估板的 QFN 12x12 封装热性能
  8. 7总结
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录

7 总结

功率器件的封装热性能与其机械和电气特性一样重要，都会对系统效率、可靠性和功率密度产生影响。在散热要求非常严苛的电源应用中，大规模采用热性能良好的封装越来越重要。仿真结果表明，对于相同的 50mΩ 产品，采用 TI 新型 QFN 12x12 封装后的 RθJC/P 值比采用旧款 QFN 8x8 封装低 45%。此外，TI 的 50mΩ GaN 功率级（采用 QFN 12x12 封装）与竞争对手推出的具有相似导通电阻的 600V 和 650V 分立式器件（采用 TOLL 或 D2PAK 封装）相比，前者的 RθJC/P 大约低 16%。实验测试结果与仿真结果相差不到 8%。根据使用 LMG3422R030 器件的半桥设计，提供了一个特定用例。运行功率为 4kW 的同步降压转换器在高侧器件封装顶部的实测外壳温度为 99.3oC。在集成保护功能的条件下执行高速和高频开关操作时，TI 采用新型 QFN 12x12 封装的高电压 GaN 功率级可以从这种宽带隙半导体中释放出更多的功率，适合需要减少系统尺寸以及提高功率密度和功效的应用。