图 3-1 描绘了从器件结到环境的两条平行热流路径，并给出了相应的一维热阻 (R_θ) 电路模型。表 3-1图 3-1 对 中所示和本报告讨论的各种 R_θ 参数进行了说明。底面冷却的 QFN 12x12 封装设计为主要通过热界面材料 (TIM) 以及与环境相连的散热器从基体 PCB 中散热。在这种典型的底面冷却配置中，从封装顶部散发到环境中的热量极少。底部路径的效率越高，从顶部散发的能量就越少。
Equation1因此， 可使用 对一种高效率底面冷却系统的 R_θJA进行估算：

R_{θJC(bot 或 top)}，定义为在器件结与封装表面之间用于散热的热阻，通常在制造商的数据表中给出。然而，在某些情况下，使用这个参数直接比较封装的热性能会带来误导，特别是对于不同类型的封装。例如，当采用 D2PAK 封装时，同一个 600V Si MOSFET 的 R_θJC(bot) 值可能为 0.8°C/W，但采用 QFN 8x8 封装时此参数的值为 0.6°C/W，原因在于 D²PAK 具有更厚的铜片。这并不意味着 QFN 8x8 封装在热性能方面比 D²PAK 更好。通过增加封装热阻 R_θJC(bot)，在 D²PAK 封装中使用较厚的铜片进行裸片连接，可以在热流到达 PCB 顶部铜层之前在封装内部实现更均匀的热量分布。此外，热片较大也使系统设计人员能够在 PCB 上增加更多的铜焊盘面积和散热过孔，以降低其热阻。PCB 上的散热更有效，因此 R_θTIM 会随之降低。因此，通过提高现有冷却元件的效率和/或采用更有效的散热解决方案，在散热方面设计良好的封装有助于提供系统级别的功率耗散能力，这一点非常重要。对于底面冷却的表面贴装封装，其热性能不可避免地与安装板（以及附着的 TIM，如果使用）相耦合。Equation2为了更好地定义和比较不同封装的热性能，在以下章节中使用了一个实用指标 R_θJC/P（即从器件结到主冷却平面的热阻），其定义请参阅：

Equation2对于此定义， 中不包括 R_θH/S 或 R_θColdplate，因为它们独立于器件封装设计，更多地取决于其自身特性（如材料和结构）和其他使用条件（如空气/冷却剂流速）。