在对功率器件设置 10W 损耗并对冷板设置 30°C 恒定温度的条件下，执行稳态 FEA 热仿真。在该热模型中，假设器件产生的热量仅通过传导方式向下传递到冷板，而不通过对流或辐射机制进行散热。图 4-4 中显示了所研究的所有封装模型的系统温度分布。
R_θ 电路模型（图 3-1）中不同节点处的温度可从这些仿真结果中得出，用于计算不同节点间的热阻。Equation3例如，R_θJC/P 是使用如下所示的 计算得出的：

 

 

图 4-5根据热仿真结果， 给出了采用不同形式封装的不同产品的 R_θJC/P 计算值。显然，对于同一个 50mΩ 导通电阻器件，QFN 12x12 封装的 R_θJC/P (2.64°C/W) 比 QFN 8x8 封装的对应值 (4.77°C/W) 降低 40% 以上。采用相同 QFN 12x12 封装的 30mΩ 器件的性能略优于 50mΩ 器件，这主要是因为导通电阻较低器件的裸片尺寸较大。图 4-5从 中所示的 R_θ 分解分析中可以看出，QFN 12x12 封装的 R_θJC/P 与前代 QFN 8x8 封装相比已降低，主要是由于 R_θPCB 和 R_θTIM 的降低。此类热性能改进是利用其更大的散热焊盘和封装尺寸来实现的，这样就可以在 PCB 设计中使用散热效果更好的铜垫和更多的散热过孔。QFN 12x12 封装与其他用于分立式功率器件的底面冷却式表面贴装封装（即 TOLL 和 D²PAK）相比，R_θJC/P 降低了大约 16%，具有散热优势。