ZHCSJ18D October 2018 – November 2024 UCC21530
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
表 8-1 列出了示例应用的参考设计参数:UCC21530 采用高侧/低侧配置驱动 1000V SiC-MOSFET。