ZHCSJ18C October   2018  – November 2021 UCC21530

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特征
    10. 6.10 开关特征
    11. 6.11 绝缘特征曲线
    12. 6.12 典型特征
  7. 7 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 7.2 上升和下降时间
    3. 7.3 输入和使能响应时间
    4. 7.4 可编程死区时间
    5. 7.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 7.6 CMTI 测试
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21530 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 使能引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCC
        2. 8.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
        3. 9.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 9.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
        5. 9.2.2.5 估算结温
        6. 9.2.2.6 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 9.2.2.6.1 选择 VCCI 电容器
        7. 9.2.2.7 其他应用示例电路
      3. 9.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 元件放置注意事项
      2. 11.1.2 接地注意事项
      3. 11.1.3 高电压注意事项
      4. 11.1.4 散热注意事项
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
      1.      机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11.1.1 元件放置注意事项

  • 必须在 VCCI 和 GND 引脚之间以及 VDD 和 VSS 引脚之间靠近器件的位置连接低 ESR 和低 ESL 电容器，以在外部功率晶体管导通时支持高峰值电流。
  • 为了避免桥接配置中开关节点 VSSA (HS) 引脚上产生较大的负瞬态，必须最大限度地减小顶部晶体管源极和底部晶体管源极之间的寄生电感。
  • 为了提升从远距离微控制器驱动 EN 引脚时的抗噪性能，TI 建议在 EN 引脚和 GND 之间添加一个 ≥ 1nF 的小型旁路电容器。
  • 如果使用死区时间功能，TI 建议在靠近 UCC21530 的 DT 引脚处放置编程电阻器 RDT 旁路电容器，从而防止噪声意外耦合到内部死区时间电路上。该电容器不应小于 2.2 nF。