ZHCSJ20D August   2018  – April 2021 UCC21530-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特征
    10. 6.10 开关特征
    11. 6.11 绝缘特征曲线
    12. 6.12 典型特征
  7. 7 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 7.2 上升和下降时间
    3. 7.3 输入和使能响应时间
    4. 7.4 可编程死区时间
    5. 7.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 7.6 CMTI 测试
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21530-Q1 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 使能引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCC
        2. 8.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
          1.        应用和实现
            1. 9.1 应用信息
            2. 9.2 典型应用
              1. 9.2.1 设计要求
              2. 9.2.2 详细设计过程
                1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
                2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
                3. 9.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
                4. 9.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
                5. 9.2.2.5 估算结温
                6. 9.2.2.6 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
                  1. 9.2.2.6.1 选择 VCCI 电容器
                7. 9.2.2.7 其他应用示例电路
              3. 9.2.3 应用曲线
                1.           电源相关建议
  9. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 元件放置注意事项
      2. 9.1.2 接地注意事项
      3. 9.1.3 高电压注意事项
      4. 9.1.4 散热注意事项
    2. 9.2 布局示例
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
      1.      机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.4 输出级

UCC21530-Q1 的输出级具有上拉结构，在电源开关导通切换的米勒平台区域（当电源开关漏极或集电极电压经历 dV/dt）最需要时提供最高的峰值拉电流。输出级上拉结构具备一个 P 沟道 MOSFET 与一个额外的上拉 N 沟道 MOSFET（并联）。N 沟道 MOSFET 的功能是短暂增加峰值拉电流，从而实现快速导通。这是通过在输出状态从低电平变为高电平时，在短时间内短暂导通 N 沟道 MOSFET 来实现的。激活时，该 N 沟道 MOSFET 的导通电阻 (RNMOS) 约为 1.47Ω。

ROH 参数是直流测量值，仅代表 P 沟道器件的导通电阻。这是因为上拉 N 沟道器件在直流条件下保持在关断状态，并且仅在输出状态从低电平变为高电平时短暂导通。因此，在该短暂导通阶段，UCC21530-Q1 上拉级的有效电阻远低于 ROH 参数所表示的有效电阻。

UCC21530-Q1 中的下拉结构仅由 N 沟道 MOSFET 组成。ROL 参数也是一项直流测量值，其表示器件中下拉状态下的阻抗。UCC21530-Q1 的两个输出都能提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流脉冲。输出电压在 VDD 和 VSS 之间摆动提供轨到轨运行，这归功于提供极低压降的 MOS 输出级。

GUID-BC94BB2D-F9E1-432D-AF24-97D9F59F9A4E-low.gif图 8-2 输出级