ZHCSJ20D August   2018  – April 2021 UCC21530-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特征
    10. 6.10 开关特征
    11. 6.11 绝缘特征曲线
    12. 6.12 典型特征
  7. 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 7.2 上升和下降时间
    3. 7.3 输入和使能响应时间
    4. 7.4 可编程死区时间
    5. 7.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 7.6 CMTI 测试
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21530-Q1 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 使能引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCC
        2. 8.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
          1.        应用和实现
            1. 9.1 应用信息
            2. 9.2 典型应用
              1. 9.2.1 设计要求
              2. 9.2.2 详细设计过程
                1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
                2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
                3. 9.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
                4. 9.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
                5. 9.2.2.5 估算结温
                6. 9.2.2.6 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
                  1. 9.2.2.6.1 选择 VCCI 电容器
                7. 9.2.2.7 其他应用示例电路
              3. 9.2.3 应用曲线
                1.           电源相关建议
  9. 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 元件放置注意事项
      2. 9.1.2 接地注意事项
      3. 9.1.3 高电压注意事项
      4. 9.1.4 散热注意事项
    2. 9.2 布局示例
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
      1.      机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

估算栅极驱动器功率损耗

栅极驱动器子系统中的总损耗 PG 包括 UCC21530-Q1 (PGD) 的功率损耗和外围电路(如外部栅极驱动电阻器)中的功率损耗。自举二极管损耗并未包含在 PG 中,本节中也不对其进行讨论。

PGD 是决定 UCC21530-Q1 的热安全相关限值的关键功率损耗,可以通过计算几个分量产生的损耗来对其进行估算。

第一个分量是静态功率损耗 PGDQ,其中包含驱动器在一定开关频率下工作时的静态功率损耗以及驱动器的自身功耗。PGDQ 是在给定 VCCI、VDDA/VDDB、开关频率和环境温度下,在无负载连接到 OUTA 和 OUTB 时在工作台上测量。图 6-4 显示了无负载条件下每输出通道电流消耗与工作频率之间的关系。在本例中,VVCCI = 5V 且 VVDD − VVSS = 19V。当 INA/INB 以 100kHz 频率从 0V 切换至 3.3V 时,测得每个电源上的电流 IVCCI ≈ 2.5mA 且 IVDDA = IVDDB ≈ 1.5mA。因此,可以通过以下公式计算 PGDQ

Equation6. GUID-80CFD0CC-4A12-44BA-81BE-4CFB290B430A-low.gif

第二个分量是开关操作损耗 PGDO,此时具有给定的负载电容,驱动器在每个开关周期中对其进行充电和放电。负载开关产生的总动态损耗 PGSW 可以通过以下公式进行估算:

Equation7. GUID-42757EFE-88FD-4438-930D-1393BA4337F9-low.png

其中

  • QG 是功率晶体管的栅极电荷。

如果使用分离电源轨进行开启和关闭,则 VDD 将等于正电源轨和负电源轨之间的差值。

因此,在本应用示例中:

Equation8. GUID-EA94964D-E704-4BE8-AAB9-A36559E0765B-low.png

QG 表示功率晶体管在以 20 A 的电流和 600 V 的电压进行开关时的总栅极电荷,该电荷随测试条件的变化而变化。输出级上的 UCC21530-Q1 栅极驱动器损耗 PGDO 是 PGSW 的一部分。如果外部栅极驱动器电阻为 0Ω,并且所有栅极驱动器损耗都将在 UCC21530-Q1 内耗散,则 PGDO 将等于 PGSW。如果存在外部导通和关断电阻,则总损耗将分布在栅极驱动器上拉/下拉电阻和外部栅极电阻之间。重要的是,如果拉电流/灌电流未达到 4 A/6 A 饱和值,则上拉/下拉电阻是线性的固定电阻,然而,如果拉电流/灌电流达到饱和,它将是非线性的。因此,PGDO 在这两种情形下是不同的。

案例 1 - 线性上拉/下拉电阻器:

Equation9. GUID-68D7463E-8FF8-49A5-99DF-2D54083E2A90-low.png

在该设计示例中,所有预测的拉电流/灌电流均小于 4A/6A,因此可以使用以下公式来估算 UCC21530-Q1 栅极驱动器损耗:

Equation10. GUID-3C268082-C7C0-4D5C-8AD4-7379C9EFEC4A-low.png

案例 2 - 非线性上拉/下拉电阻器:

Equation11. GUID-16A384D2-6831-4FBB-9DF4-6186A837E7B4-low.png

其中

  • VOUTA/B(t) 为栅极驱动器 OUTA 和 OUTB 引脚在导通和关断瞬变期间的电压,它可以简化为恒流源(在导通时为 4A,在关断时为 6A)对负载电容器进行充电或放电。因此,VOUTA/B(t) 波形将是线性的,可以轻松地预测 TR_Sys 和 TF_Sys

对于某些情形,如果只有一个上拉或下拉电路饱和,而另一个未饱和,则 PGDO 是案例 1 和案例 2 的组合,基于上述讨论,可以轻松地确定上拉和下拉的方程。因此,栅极驱动器 UCC21530-Q1 中的总栅极驱动器损耗 PGD 为:

Equation12. GUID-76B8E96E-07B3-4254-975E-73517E3CF0C9-low.png

在本设计示例中该值等于 103 mW。