ZHCSJ20D August   2018  – April 2021 UCC21530-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特征
    10. 6.10 开关特征
    11. 6.11 绝缘特征曲线
    12. 6.12 典型特征
  7. 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 7.2 上升和下降时间
    3. 7.3 输入和使能响应时间
    4. 7.4 可编程死区时间
    5. 7.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 7.6 CMTI 测试
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21530-Q1 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 使能引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCC
        2. 8.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
          1.        应用和实现
            1. 9.1 应用信息
            2. 9.2 典型应用
              1. 9.2.1 设计要求
              2. 9.2.2 详细设计过程
                1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
                2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
                3. 9.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
                4. 9.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
                5. 9.2.2.5 估算结温
                6. 9.2.2.6 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
                  1. 9.2.2.6.1 选择 VCCI 电容器
                7. 9.2.2.7 其他应用示例电路
              3. 9.2.3 应用曲线
                1.           电源相关建议
  9. 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 元件放置注意事项
      2. 9.1.2 接地注意事项
      3. 9.1.3 高电压注意事项
      4. 9.1.4 散热注意事项
    2. 9.2 布局示例
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
      1.      机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

应用曲线

图 9-5显示了一种多脉冲基准测试电路,其使用 L1 作为电感器负载,并产生一组控制脉冲以评估驱动器和 SiC MOSFET 在不同负载条件下的开关瞬态。测试条件为:VDC-Link = 600V、VCC = 5V、VDD = 15V、VSS = –4V、fSW = 500kHz、RON = 5.1Ω、ROFF = 1.0Ω。图 9-6 显示了大约 20A 电流时的导通和关断波形

通道 1(黄色):低侧 MOSFET 上的栅极源电压信号。

通道 2(蓝色):高侧 MOSFET 上的栅极源电压信号。

通道 3(粉色):低侧 MOSFET 上的漏极源电压信号。

通道 4(绿色):低侧 MOSFET 上的漏极源电流信号。

图 9-6 中,高功率和低功率晶体管上的栅极驱动信号具有 100ns 死区时间,并且两种信号均使用 ≥ 500MHz 带宽探针进行测量。

GUID-7AA27267-5F77-4756-B112-626DF2B12A0A-low.png图 9-5 具有 SiC MOSFET 开关的基准测试电路
GUID-DE02C788-BB05-416A-B66C-DEF410E0110F-low.png图 9-6 SiC MOSFET 开关波形