ZHCSMC2X September   2003  – May 2025 TPS736

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出噪声
      2. 6.3.2 内部电流限制
      3. 6.3.3 使能引脚和关断
      4. 6.3.4 反向电流
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行，1.7V ≤ VIN≤ 5.5V 且 VEN ≥ 1.7V
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 压降电压
        3. 7.2.2.3 瞬态响应
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 功率耗散
        2. 7.4.1.2 热保护
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.1 输出噪声

一个精准带隙基准用于生成内部基准电压 VREF。这个基准是 TPS736 内的主要噪声源并且在基准输出 (NR) 上产生大约 32μVRMS（10Hz 至 100kHz）。稳压器控制环路对基准噪声的增益补偿与对基准电压的增益补偿一致，这样稳压器的噪声电压可大约确定为：

方程式 1. TPS736

由于 VREF 的值为 1.2V，这一相互关系减少至：

方程式 2. TPS736

（对于没有 CNR 的情况）。

当一个外部降噪电容器 CNR 被从 NR 接至接地时，一个与降噪引脚 (NR) 串联的内部 27kΩ 电阻器为电压基准形成一个低导通滤波器。因为 CNR = 10nF，根据给出的大致关系，10Hz 至 100kHz 带宽内的总噪声被减少了大约 3.2 倍：

方程式 3. TPS736

CNR = 10nF。

该降噪效应显示在 典型特性 部分的 RMS 噪声电压与 CNR 间的关系图中。

TPS73601 可调版本没有可用的 NR 引脚。不过，将一个反馈电容器 CFB 从输出连接至反馈引脚 (FB) 将降低输出噪声并提升负载瞬态性能。

TPS736 使用一个内部电荷泵来形成内部电源电压，此电压足以将 NMOS 导通晶体管元件的栅极驱动至高于 VOUT 的水平。此电荷泵在大约 4MHz 时生成大约 250μV 的开关噪声；然而，对于大多数 IOUT 和 COUT 的值，电荷泵噪声对于稳压器输出的影响可以忽略不计。