TPS736

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具有反向电流保护和使能功能的 400mA 高精度超低压降稳压器

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Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.4 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.25, 1.5, 1.6, 1.8, 1.9, 2.5, 3, 3.2, 3.3, 4.3, 5.4 Rating Catalog Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 32 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 53, 57.8 Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.4 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.25, 1.5, 1.6, 1.8, 1.9, 2.5, 3, 3.2, 3.3, 4.3, 5.4 Rating Catalog Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 32 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 53, 57.8 Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围为 1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压:75mV(典型值)
  • 无论是否使用可选输出电容器,均可实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 低噪声:30µVRMS 典型值(10Hz 至 100kHz)
  • 初始精度为 0.5%
  • 整个线路、负载和温度范围内的精度达 1%
  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小/最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 1.20V 至 5.0V 固定输出
    • 1.20V 至 5.5V 的可调输出
    • 可提供定制输出
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围为 1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压:75mV(典型值)
  • 无论是否使用可选输出电容器,均可实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 低噪声:30µVRMS 典型值(10Hz 至 100kHz)
  • 初始精度为 0.5%
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  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小/最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 1.20V 至 5.0V 固定输出
    • 1.20V 至 5.5V 的可调输出
    • 可提供定制输出

TPS736 低压降 (LDO) 线性稳压器采用全新的拓扑结构:在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。该器件还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流(在所有输出电流值范围内几乎保持恒定)。

TPS736 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时,电流消耗低于 1µA,非常适合于便携式应用。极低的输出噪声(0.1µF CNR 时为 30µVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

TPS736 低压降 (LDO) 线性稳压器采用全新的拓扑结构:在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。该器件还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流(在所有输出电流值范围内几乎保持恒定)。

TPS736 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时,电流消耗低于 1µA,非常适合于便携式应用。极低的输出噪声(0.1µF CNR 时为 30µVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

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更多文献资料 DMOS Delivers Dramatic Performance Gains to LDO Regulators (EDN mag) 2001年 2月 14日

设计和开发

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第 1 步:硬件
订购 TAS5805M 评估模块

第 2 步:软件 
申请访问 PurePath™ Console 3 和 TAS5805M 软件

第 3 步:培训
下载 TAS5805M 评估模块用户指南
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阅读“TAS5805M、TAS5806M 和 TAS5806MD 处理流程”应用手册

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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