ZHCSYT5 August   2025 TPS6521505-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  系统控制阈值
    6. 5.6  BUCK1 转换器
    7. 5.7  BUCK2、BUCK3 转换器
    8. 5.8  通用 LDO（LDO1）
    9. 5.9  通用 LDO（LDO2）
    10. 5.10 GPIO 和多功能引脚（EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO1、GPO2、GPIO、MODE/RESET、MODE/STBY、VSEL_SD/VSEL_DDR）
    11. 5.11 电压和温度监测器
    12. 5.12 I2C 接口
    13. 5.13 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  上电时序
      2. 6.3.2  下电时序
      3. 6.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 6.3.4  复位到 SoC (nRSTOUT)
      5. 6.3.5  降压转换器（Buck1、Buck2 和 Buck3）
        1. 6.3.5.1 双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  线性稳压器（LDO1 和 LDO2）
      7. 6.3.7  中断引脚 (nINT)
      8. 6.3.8  PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      9. 6.3.9  PWM/PFM 和复位 (MODE/RESET)
      10. 6.3.10 电压选择引脚 (VSEL_SD/VSEL_DDR)
      11. 6.3.11 通用输入或输出（GPO1、GPO2 和 GPIO）
      12. 6.3.12 与 I2C 兼容的接口
        1. 6.3.12.1 数据有效性
        2. 6.3.12.2 启动和停止条件
        3. 6.3.12.3 传送数据
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 运行模式
        1. 6.4.1.1 OFF 状态
        2. 6.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 6.4.1.3 运行状态
        4. 6.4.1.4 STBY 状态
        5. 6.4.1.5 故障处理
    5. 6.5 多 PMIC 运行
    6. 6.6 NVM 编程
      1. 6.6.1 TPS6521505-Q1 默认 NVM 设置
      2. 6.6.2 初始化状态下的 NVM 编程
      3. 6.6.3 运行状态下的 NVM 编程
    7. 6.7 用户寄存器
    8. 6.8 器件寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型应用示例
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        2. 7.2.3.2 LDO1 设计过程
        3. 7.2.3.3 LDO2 设计过程
        4. 7.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 7.2.3.5 数字信号设计过程
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装选项附录
    2. 10.2 卷带包装信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

10.1 封装选项附录

封装信息

可订购器件 状态 (1) 封装类型 封装图 引脚 包装数量 环保计划 (2) 铅/焊球镀层(3) MSL 峰值温度 (4) 工作温度 (°C) 器件标识(5)(6)
TPS6521505WRHBRQ1 运行 VQFN RHB 32 3000 绿色环保（RoHS，无锑/溴） NiPdAu Level-1-260C-UNLIM -40oC 至 125oC 65215Q

NVM 05
(1) 销售状态值定义如下：
正在供货：建议用于新设计的产品器件。
限期购买：TI 已宣布器件即将停产，但仍在购买期限内。
NRND：不推荐用于新设计。为支持现有客户，器件仍在生产，但 TI 不建议在新设计中使用此器件。
PRE_PROD：器件未发布，尚未量产，未向大众市场供货，也未在网络上供应，未提供样片。
预发布：器件已发布，但未量产。可能提供样片，也可能无法提供样片。
已停产：TI 已停止生产该器件。
(2) 环保计划 - 规划的环保分级包括：无铅 (RoHS)，无铅（RoHS 豁免）或绿色环保（RoHS，无锑/溴）- 如需了解最新供货信息及更多产品内容详情，请访问 http://www.ti.com/productcontent。
待定：无铅/绿色环保转换计划尚未确定。
无铅 (RoHS)：TI 所说的“无铅”或“无 Pb”是指半导体产品符合针对所有 6 种物质的现行 RoHS 要求，包括要求铅的重量不超过同质材料总重量的 0.1%。因在设计时就考虑到了高温焊接要求，因此 TI 的无铅产品适用于指定的无铅作业。
无铅（RoHS 豁免）：该元件在以下两种情况下可享受 RoHS 豁免：1) 芯片和封装之间使用铅基倒装芯片焊接凸点；2) 芯片和引线框之间使用铅基芯片粘合剂。否则，元件将根据上述规定视为无铅（符合 RoHS）。
绿色环保（RoHS，无锑/溴）：TI 将“绿色环保”定义为无铅（符合 RoHS 标准）、无溴 (Br) 和无锑 (Sb) 基阻燃剂（Br 或 Sb 在同质材料中的质量不超过总质量的 0.1%）
(3) 铅/焊球镀层 - 可订购器件可能有多种镀层材料选项。各镀层选项用垂直线隔开。如果铅/焊球镀层值超出最大列宽，则会折为两行。
(4) MSL，峰值温度-- 湿敏等级额定值（符合 JEDEC 工业标准分级）和峰值焊接温度。
(5) 器件上可能还有与标识、批次跟踪代码信息或环境分级相关的标记
(6) 如有多个器件标识，将用括号括起来。不过，器件上仅显示括号中以“~”隔开的器件标识。如果某一行缩进，说明该行续接上一行，这两行合在一起表示该器件的完整器件标识。
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在任何情况下，TI 因此类信息产生的责任决不超过 TI 每年向客户销售的本文档所述 TI 器件的总购买价。