ZHCS979G June   2012  – November 2025 TPS53318 , TPS53319

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
    7. 6.7 TPS53319 典型特性
    8. 6.8 TPS53318 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  5V LDO 和 VREG 启动
      2. 7.3.2  自适应导通时间 D-CAP™ 集成电路控制和频率选择
      3. 7.3.3  斜坡信号
      4. 7.3.4  自适应过零
      5. 7.3.5  输出放电控制
      6. 7.3.6  电源正常
      7. 7.3.7  电流检测、过流和短路保护
      8. 7.3.8  过压和欠压保护
      9. 7.3.9  冗余过压保护 (OVP)
      10. 7.3.10 UVLO 保护
      11. 7.3.11 热关断
      12. 7.3.12 小信号模型
      13. 7.3.13 采用全陶瓷输出电容器的外部元件选择
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 使能、软启动和模式选择
      2. 7.4.2 自动跳跃 Eco-mode 轻负载运行
      3. 7.4.3 强制连续导通模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用大容量输出电容器的应用（冗余过压保护功能 (OVP) 禁用）
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 第一步：选择操作模式和软启动时间
          2. 8.2.1.2.2 第二步：选择开关频率
          3. 8.2.1.2.3 第三步：选择电感器
          4. 8.2.1.2.4 第四步：选择一个或多个输出电容器
          5. 8.2.1.2.5 第五步：确定 R1 和 R2 的值
          6. 8.2.1.2.6 第六步：选择过流设置电阻
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 使用陶瓷输出电容器的应用（冗余过压保护功能 (OVP) 启用）
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
          1. 8.2.2.2.1 采用全陶瓷输出电容器的外部元件选择
          2. 8.2.2.2.2 冗余过压保护
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.13 采用全陶瓷输出电容器的外部元件选择

当使用陶瓷输出电容器时，无法满足方程式 7 中的稳定性标准。实现图 8-1 所示的纹波注入方法，以增加 VFB 引脚上的纹波并使系统稳定。除了使用节 8.2.1.2中的步骤 1 至步骤 6 进行的选择外，还必须选择纹波注入元件。C2 值可固定为 1nF。C1 的值可以在 10nF 至 200nF 之间进行选择。

方程式 8. TPS53318 TPS53319

其中

  • N 是考虑 L 和 COUT 变化的系数

N 还用于提供足够的裕度以确保稳定性。TI 建议在 VOUT ≤ 1.8V 时选择 N = 2，在 VOUT ≥ 3.3V 或 L ≤ 250nH 时选择 N = 4。VOUT 越高，需要的 N 值也越高，这是因为有效输出电容会随着直流偏置电压的升高而显著降低。例如，6.3V、22µF 陶瓷电容器在偏置为 5V 时的有效电容只有 8µF。

由于 VFB 引脚电压稳压在谷值，所以 VFB 引脚上的纹波增加会导致 VFB 直流值增加。耦合到 VFB 引脚的交流纹波有两个分量，一个从 SW 节点耦合，另一个从 VOUT 引脚耦合；在忽略等效串联电感 (ESL) 引起的输出电压纹波时，可以使用方程式 9 和方程式 10 来计算这些分量的值。

方程式 9. TPS53318 TPS53319
方程式 10. TPS53318 TPS53319

TI 建议使 VINJ_SW 小于 50mV。如果计算得出的 VINJ_SW 大于 50mV，则需要调整其他参数来降低 VINJ_SW。例如，可以增加 COUT 并选择更高的 R7 值以满足方程式 8，从而降低 VINJ_SW。

VFB 引脚上的直流电压可通过方程式 11 计算得出：

方程式 11. TPS53318 TPS53319

电阻分压器的值可通过方程式 12 确定：

方程式 12. TPS53318 TPS53319