ZHCSQU9C February 2008 – October 2023 TPS2550 , TPS2551
PRODUCTION DATA
N 通道 MOSFET 的低导通电阻支持小型表面贴装封装以导通大电流。这是一个估算功率耗散和结温的良好设计方法。下面的分析给出了根据封装内功率耗散而计算得出的结温近似值。然而，请注意，散热分析在很大程度上取决于额外的系统级因素。此类因素包括气流、电路板布局布线、铜覆区厚度和表面积以及与其它发热器件的接近程度。良好的散热设计做法必须包括除单独组件分析之外的所有系统级因素。
从确定与输入电压和运行温度相关的 N 通道 MOSFET 的 rDS（导通）开始。开始估算时，使用感兴趣的最高运行环境温度并从典型特征图中读取 rDS（导通）值。使用这个值，功率耗散的计算放大方法如下：
PD = rDS(on) × IOUT2
其中：
PD=总功率耗散 (W)
rDS（导通）=电源开关导通电阻 (Ω)
IOUT=最大限流阈值 (A)
这一步骤计算 N 通道 MOSFET 的总功率耗散。
最后，计算结温：
TJ = PD × RΘJA + TA
其中：
TA=环境温度 (°C)
RΘJA = 热阻 (°C/W)
PD=总功率耗散 (W)
将计算得出的结温与最初的估算相比较。如果它们间的差异较大，使用之前计算中得到的“精确” rDS（导通）作为全新的估算值进行重复计算。一般通过两次或三次叠代运算即可获得所需的结果。最终的结温在很大程度上取决于热阻 RθJA，而热阻在很大程度上取决于独立封装和电路板布局布线。本文档开头的“功耗额定值”表提供了特定封装和电路板布局布线的示例热阻。