ZHCSQU9C February   2008  – October 2023 TPS2550 , TPS2551

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 器件比较表
  7. 引脚配置和功能
  8. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  9. 参数测量信息
  10. 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 过流
      2. 9.3.2 反向电压保护
      3. 9.3.3 FAULT 响应
      4. 9.3.4 欠压锁定 (UVLO)
      5. 9.3.5 ENABLE(EN 或 EN)
      6. 9.3.6 热检测
      7. 9.3.7 器件功能模式
    4. 9.4 编程
      1. 9.4.1 设定限流阈值
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 两级限流电路
      2. 10.2.2 设计要求
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 高于最小电流限制的设计
        2. 10.2.3.2 低于最大电流限制的设计
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
      4. 10.2.4 自动重试功能
      5. 10.2.5 锁存功能
      6. 10.2.6 作为 USB 电源开关的典型应用
        1. 10.2.6.1 设计要求
          1. 10.2.6.1.1 USB 配电要求
        2. 10.2.6.2 详细设计过程
          1. 10.2.6.2.1 通用串行总线 (USB) 配电要求
    3. 10.3 电源相关建议
      1. 10.3.1 自供电和总线供电集线器
      2. 10.3.2 低功耗总线供电和高功耗总线供电功能
      3. 10.3.3 功率耗散和结温
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在建议的工作结温范围内,2.5V ≤ VIN ≤ 6.5V,RILIM = 14.3kΩ,V/EN = 0V,或 VEN = 5.0V(除非另有说明)
参数测试条件(1)最小值典型值最大值单位
电源开关
rDS(on)静态漏源导通状态电阻DBV 封装,TJ = 25°C94100mΩ
DBV 封装,40°C ≤ TJ ≤ 125°C140
DRV 封装,TJ = 25°C100115
DRV 封装,-40°C ≤ TJ ≤ 105°C145
DRV 封装,40°C ≤ TJ ≤ 125°C150
tr上升时间,输出VIN=6.5VCL = 1μF,RL = 100Ω,
(请参阅图 8-1
1.01.5ms
VIN=2.5V0.651.0
tf下降时间,输出VIN=6.5V0.20.5
VIN=2.5V0.20.5
使能输入 EN 或 EN
VIH高电平输入电压1.1V
VIL低电平输入电压0.66
IEN输入电流VEN = 0V 或 6.5V,V/EN = 0V 或 6.5V-0.50.5μA
ton开通时间CL = 1μF,RL = 100Ω(请参阅图 8-13ms
toff关闭时间3ms
电流限制
IOS短路电流,OUT 连接到 GNDRILIM=80.6kΩ160265350mA
RILIM=38.3kΩ350550700
RILIM=15kΩ110014501700
IOC限流阈值(输送到负载的最大直流输出电流 IOUTRILIM=80.6kΩ340365390
RILIM=38.3kΩ670715755
RILIM=15kΩ160017001800
tIOS对短路的响应时间VIN = 5.0V(请参阅图 8-22μs
反向电压保护
反向电压比较器跳闸点
(VOUT – VIN)
95135190mV
反向电压情况到 MOSFET 关闭的时间VIN = 5.0V357ms
电源电流
IIN_off电源电流,低电平输出VIN = 6.5V,OUT 上无负载,VEN = 6.5V 或 VEN = 0V,14.3kΩ ≤ RILIM ≤ 80.6kΩ0.11μA
IIN_on电源电流,高电平输出VIN = 6.5V,OUT 上无负载,VEN = 0V 或 VEN = 6.5VRILIM=15kΩ150μA
RILIM=80.6kΩ130μA
IREV反向泄漏电流VOUT=6.5V,VIN=0VTJ = 25°C0.011μA
欠压锁定
VUVLO低电平输入电压,INVIN上升2.352.45V
滞后,INTJ = 25°C25mV
FAULT 标志
VOL输出低电压,FAULTI/FAULT=1mA180mV
关闭状态泄漏V/FAULT=6.5V1μA
FAULT去毛刺脉冲由过流情况引起的FAULT置位或不置位57.510ms
由反向电压情况引起的FAULT置位或不置位246ms
热关断
热关断阈值155°C
热关断限流阈值135°C
迟滞15°C
脉冲测试技术将结温保持在接近环境温度的水平上;必须单独考虑热效应。