ZHCSWI2E June   2024  – October 2025 TMUXS7614D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  热性能信息
    4. 5.4  建议运行条件
    5. 5.5  流经开关的源极或漏极电流
    6. 5.6  电气特性（全局）
    7. 5.7  电气特性（±15V 双电源）
    8. 5.8  开关特性（±15V 双电源）
    9. 5.9  电气特性（±20V 双电源）
    10. 5.10 开关特性（±20V 双电源）
    11. 5.11 电气特性（+37.5V/-12.5V 双电源）
    12. 5.12 开关特性（+37.5V/-12.5V 双电源）
    13. 5.13 电气特性（12V 单电源）
    14. 5.14 开关特性（12V 单电源）
    15. 5.15 SPI 时序特性（2.7V 至 5.5V）
    16. 5.16 SPI 时序特性（1.8V 至 2.7V）
    17. 5.17 时序图
    18. 5.18 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1  导通电阻
    2. 6.2  关断漏电流
    3. 6.3  导通漏电流
    4. 6.4  tON 和 tOFF 时间
    5. 6.5  先断后合
    6. 6.6  电荷注入
    7. 6.7  关断隔离
    8. 6.8  通道间串扰
    9. 6.9  带宽
    10. 6.10 THD + 噪声
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 双向运行
      2. 7.3.2 轨至轨运行
      3. 7.3.3 1.8V 逻辑兼容输入
      4. 7.3.4 平缓的导通电阻
      5. 7.3.5 上电时序不受限制
    4. 7.4 SPI 运行模式
      1. 7.4.1 地址模式
      2. 7.4.2 突发模式
      3. 7.4.3 菊花链模式
      4. 7.4.4 错误检测
        1. 7.4.4.1 地址 R/W 错误标志
        2. 7.4.4.2 SCLK 计数错误标志
        3. 7.4.4.3 CRC（循环冗余校验）启用和错误标志
        4. 7.4.4.4 清除错误标志
      5. 7.4.5 软件复位
    5. 7.5 器件功能模式
    6. 7.6 寄存器映射
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 建议的回流焊曲线
    4. 8.4 散热注意事项
    5. 8.5 电源相关建议
    6. 8.6 布局
      1. 8.6.1 布局指南
      2. 8.6.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息
    2. 11.2 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZEM|30
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.15 SPI 时序特性（2.7V 至 5.5V）

VL = 2.7V - 5.5V，GND = 0V（除非另有说明）
典型值在 VL = 3.3V、TA = 25℃ 时测得（除非另有说明）
参数 测试条件 TA 最小值 典型值 最大值 单位
fCLK_SPI SCLK 频率 -40°C 至 +125°C 50 MHz
tR、tF_SPI SPI 时钟上升和下降时间 -40°C 至 +125°C 50 ns
tCLK_SPI SCLK 周期 -40°C 至 +125°C 20 ns
tCLK_H_SPI SCLK 高电平时间 -40°C 至 +125°C 8 ns
tCLK_L_SPI SCLK 低电平时间 -40°C 至 +125°C 8 ns
tCSS 建立时间 CS 至 SCLK -40°C 至 +125°C 10 ns
tSU_SPI 建立时间 SDI 至 SCLK -40°C 至 +125°C 6 ns
tH_SPI 保持时间 SDI 至 SCLK -40°C 至 +125°C 8 ns
tCSH 保持时间 SCLK 至 CS -40°C 至 +125°C 10 ns
tCSLSDO CS 下降沿至 SDO 20pF -40°C 至 +125°C 25 ns
tSDO SCLK 下降沿到 SDO 20pF -40°C 至 +125°C 25 ns
tCSHSDO CS 上升沿至 SDO 返回高电平 20pF -40°C 至 +125°C 25 ns
tCSD SPI 命令之间的 CS 高电平时间 -40°C 至 +125°C 20 ns
tCSLSCLK CS 下降沿至 SCLK 变为稳定 -40°C 至 +125°C 8 ns
tCSHSCLK CS 上升沿至 SCLK 变为稳定 -40°C 至 +125°C 8 ns