ZHCSWI2E June   2024  – October 2025 TMUXS7614D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  热性能信息
    4. 5.4  建议运行条件
    5. 5.5  流经开关的源极或漏极电流
    6. 5.6  电气特性（全局）
    7. 5.7  电气特性（±15V 双电源）
    8. 5.8  开关特性（±15V 双电源）
    9. 5.9  电气特性（±20V 双电源）
    10. 5.10 开关特性（±20V 双电源）
    11. 5.11 电气特性（+37.5V/-12.5V 双电源）
    12. 5.12 开关特性（+37.5V/-12.5V 双电源）
    13. 5.13 电气特性（12V 单电源）
    14. 5.14 开关特性（12V 单电源）
    15. 5.15 SPI 时序特性（2.7V 至 5.5V）
    16. 5.16 SPI 时序特性（1.8V 至 2.7V）
    17. 5.17 时序图
    18. 5.18 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1  导通电阻
    2. 6.2  关断漏电流
    3. 6.3  导通漏电流
    4. 6.4  tON 和 tOFF 时间
    5. 6.5  先断后合
    6. 6.6  电荷注入
    7. 6.7  关断隔离
    8. 6.8  通道间串扰
    9. 6.9  带宽
    10. 6.10 THD + 噪声
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 双向运行
      2. 7.3.2 轨至轨运行
      3. 7.3.3 1.8V 逻辑兼容输入
      4. 7.3.4 平缓的导通电阻
      5. 7.3.5 上电时序不受限制
    4. 7.4 SPI 运行模式
      1. 7.4.1 地址模式
      2. 7.4.2 突发模式
      3. 7.4.3 菊花链模式
      4. 7.4.4 错误检测
        1. 7.4.4.1 地址 R/W 错误标志
        2. 7.4.4.2 SCLK 计数错误标志
        3. 7.4.4.3 CRC（循环冗余校验）启用和错误标志
        4. 7.4.4.4 清除错误标志
      5. 7.4.5 软件复位
    5. 7.5 器件功能模式
    6. 7.6 寄存器映射
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 建议的回流焊曲线
    4. 8.4 散热注意事项
    5. 8.5 电源相关建议
    6. 8.6 布局
      1. 8.6.1 布局指南
      2. 8.6.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息
    2. 11.2 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZEM|30
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2 典型应用

在半导体自动测试设备 (ATE) 应用中实施参数测量单元 (PMU) 就是一个利用精密性能的示例。

在自动测试设备 (ATE) 系统中，参数测量单元 (PMU) 的任务是测量器件 (DUT) 的电压和电流参数信息。测量电压时，在 DUT 引脚上施加电流，通过改变内部检测电阻的值可调整电流范围。根据 DUT 的不同，有时需要使用比系统本身支持的电流更高的测试电流。8 通道 SPST 开关可与外部高电流放大器和电阻器配合使用，以实现灵活性。PMU 工作电压通常为中压（最高 36V）。具有低漏电流（典型值为 0.013nA）的合适开关（如 TMUXS7614D）非常适合这些应用，因为其对测量精度的影响极低，所提供的低 RON 与平坦的 RON_FLATNESS 可以更精准地控制电流范围。图 8-1 展示了存储器和半导体测试设备中此类实现的简化图。

TMUXS7614D 使用外部电阻器选择高电流范围图 8-1 使用外部电阻器选择高电流范围