ZHCSWI2E June   2024  – October 2025 TMUXS7614D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  热性能信息
    4. 5.4  建议运行条件
    5. 5.5  流经开关的源极或漏极电流
    6. 5.6  电气特性（全局）
    7. 5.7  电气特性（±15V 双电源）
    8. 5.8  开关特性（±15V 双电源）
    9. 5.9  电气特性（±20V 双电源）
    10. 5.10 开关特性（±20V 双电源）
    11. 5.11 电气特性（+37.5V/-12.5V 双电源）
    12. 5.12 开关特性（+37.5V/-12.5V 双电源）
    13. 5.13 电气特性（12V 单电源）
    14. 5.14 开关特性（12V 单电源）
    15. 5.15 SPI 时序特性（2.7V 至 5.5V）
    16. 5.16 SPI 时序特性（1.8V 至 2.7V）
    17. 5.17 时序图
    18. 5.18 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1  导通电阻
    2. 6.2  关断漏电流
    3. 6.3  导通漏电流
    4. 6.4  tON 和 tOFF 时间
    5. 6.5  先断后合
    6. 6.6  电荷注入
    7. 6.7  关断隔离
    8. 6.8  通道间串扰
    9. 6.9  带宽
    10. 6.10 THD + 噪声
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 双向运行
      2. 7.3.2 轨至轨运行
      3. 7.3.3 1.8V 逻辑兼容输入
      4. 7.3.4 平缓的导通电阻
      5. 7.3.5 上电时序不受限制
    4. 7.4 SPI 运行模式
      1. 7.4.1 地址模式
      2. 7.4.2 突发模式
      3. 7.4.3 菊花链模式
      4. 7.4.4 错误检测
        1. 7.4.4.1 地址 R/W 错误标志
        2. 7.4.4.2 SCLK 计数错误标志
        3. 7.4.4.3 CRC（循环冗余校验）启用和错误标志
        4. 7.4.4.4 清除错误标志
      5. 7.4.5 软件复位
    5. 7.5 器件功能模式
    6. 7.6 寄存器映射
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 建议的回流焊曲线
    4. 8.4 散热注意事项
    5. 8.5 电源相关建议
    6. 8.6 布局
      1. 8.6.1 布局指南
      2. 8.6.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息
    2. 11.2 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZEM|30
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 电荷注入

TMUXS7614D 器件具有传输门拓扑结构。NMOS 和 PMOS 晶体管之间电容的任何不匹配都会导致在栅极信号的下降沿或上升沿期间向漏极或源极注入电荷。注入器件源极或漏极的电荷量称为电荷注入，用符号 QC 表示。图 6-6 展示了用于测量从源极 (Sx) 到漏极 (Dx) 的电荷注入的设置。

TMUXS7614D 电荷注入测量设置图 6-6 电荷注入测量设置