10 修订历史记录
Changes from Revision I (September 2016) to Revision J (September 2026)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 通篇将输出晶体管说明和符号从 BJT 更新为 MOSFETGo
- 删除了 PDIP (16) 封装Go
- 更新了热性能信息 表中所有封装的值Go
- 将输出调节典型值从 14mV 更改为 6mVGo
- 将开环电压增益典型值从 95dB 更改为 80dBGo
- 已将共模抑制比典型值从 80dB 更新为 100dBGo
- 将输入偏置电流(死区时间控制)典型值从 -2μA 更改至 -0.006μAGo
- 将输入阈值电压(死区时间控制)典型值从 3V 更改至 2.5VGo
- 针对其他测试条件,将输出 C1 关断状态电流典型值从 2μA 更改为 4μA,并将 C2 关断状态电流典型值从 4μA 更改为 2μAGo
- 将共源极配置中的输出 C1E1、C2E2 饱和电压典型值从 1.1V 更改为 0.5VGo
- 将源极跟随器配置中的输出 C1E1、C2E2 饱和电压典型值从 1.5V 更改为 1.65VGo
- 将输阈值电压典型值从 4V 更改至 3.4VGo
- 将 VCC = 15V 典型值时的待机电源电流从 9mA 更改为 1.62mAGo
- 将 VCC = 40V 典型值时的待机电源电流从 11mA 更改为 1.68mAGo
- 将电源电流典型值从 12.4mA 更改为 2.2mAGo
- 将共源极配置典型值中的上升时间从 100ns 更改为 70nsGo
- 将共源极配置典型值中的下降时间从 30ns 更改为 20nsGo
- 将源极跟随器配置中的上升时间典型值从 200ns 更改为 85nsGo
- 将源极跟随器配置中的下降时间典型值从 45ns 更改为 35nsGo
- 更新了图 5-1 和放大器电压放大倍数与频率间的关系Go
- 更新了说明以调整低于 7V 输入电压时的 VREF 行为变化Go
- 更新了电感器计算的格式Go
- 更新了参考电压与输入电压应用曲线Go
Changes from Revision H (January 2014) to Revision I (September 2016)
- 添加了应用 部分、ESD 等级 表、特性说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源相关建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go
- 将热性能信息 表中的值从 73 更改为 73.5 (D)、从 67 更改为 43.5 (N)、从 64 更改为 73.6 (NS) 以及从 108 更改为 101.5 (PW)Go