ZHCSNY4A November 2021 – March 2022 THS4541-DIE
PRODUCTION DATA
THS4541-DIE 输入级架构本质上是稳健的，可通过所有应用所需的串联输入电阻器来承受输入过驱。高输入过驱导致输出限制在其最大摆幅内，而通过 Rg 电阻器的剩余输入电流被两个输入上的内部背靠背保护二极管吸收。这些二极管在应用中通常处于关闭状态，仅在吸收大输入过驱可能通过源阻抗和/或所有设计所需的串联 Rg 元件产生的电流时导通。
在过驱情况下，内部输入二极管可以安全地吸收高达 ±15mA 的电流。对于需要吸收更多电流的设计，请考虑添加一个外部保护二极管，例如图 9-1 的示例 ADC 接口设计中使用的 BAV99 器件。