与所有高速器件类似，可以通过精心设计电路板布局布线来实现出色的系统性能。对于 THS4541-DIE，一般高速信号路径布局建议包括：
- 在器件电源引脚的接地平面上使用完好的高频去耦电容器 (0.1µF)。需要值更高的电容器 (2.2µF)，但可以将其放置在离器件电源引脚更远的位置并在器件之间共享。还应在两个电源之间添加一个电源去耦电容器（适用于双极性工作模式）。为获得良好的高频去耦效果，请考虑使用 X2Y 电源去耦电容器，以提供比标准电容器高得多的自谐振频率。
- 对于每个 THS4541-DIE，将一个单独的 0.1µF 电容器连接到附近的接地平面。对于级联或多个并联通道，包括来自较大电容器的铁氧体磁珠通常对局部高频去耦电容器有用。
- 在任何可感知距离上使用差分信号路由时，请使用具有匹配阻抗引线的微带布局技术。
- 输入求和点对寄生电容非常敏感。以极小的到电阻器器件引脚侧的布线长度将任何 Rg 元件连接到求和点。如果需要连接到源或接地端，则 Rg 元件的另一侧可能具有更大的布线长度。