ZHCSCZ5F December 2013 – August 2025 LMK00334
PRODUCTION DATA
8.2.1.2 晶体接口
LMK00334 具有一个积分晶体振荡器电路，可支持基本模式 AT 切割晶体。晶体接口如图 8-5 所示。
图 8-5 晶体接口负载电容 (CL) 取决于晶体，但通常约为 18pF 至 20pF。虽然为晶体指定了 CL，但器件的 OSCin 输入电容（典型值 CIN = 1pF）和 PCB 杂散电容（CSTRAY 约为 1pF 到 3pF）会影响分立式负载电容值 C1 和 C2。
对于并联谐振电路，分立式电容值可按如下方式计算：
方程式 1. CL = (C1 × C2) / (C1 + C2) + CIN + CSTRAY
通常，C1 = C2 以获得最佳对称性，因此可以仅使用 C1 重写方程式 1：
方程式 2. CL = C12 / (2 × C1) + CIN + CSTRAY
最后，求解 C1：
方程式 3. C1 = (CL – CIN – CSTRAY) × 2
电气特性 为晶体接口规格提供了验证晶体启动的条件，但电气特性 未规定晶体功率耗散。设计人员必须确认晶体功率耗散未超过晶体制造商指定的最大驱动电平。过度驱动晶体会导致过早老化、频率移位，并最终导致故障。驱动电平必须保持在足以启动和保持稳态运行所需的电平。
晶体中耗散的功率 PXTAL 可通过以下公式计算：
方程式 4. PXTAL = IRMS2 × RESR × (1 + C0/CL)2
其中
- IRMS 是通过晶体的 RMS 电流。
- RESR 为晶体规定的最大等效串联电阻
- CL 是为晶体规定的负载电容
- C0 是为晶体规定的最小并联电容
IRMS 可以通过电流探头（例如 Tektronix CT-6或等效器件）进行测量，该探头放在连接到 OSCout 的晶体引脚上（振荡电路处于激活状态）。
如图 8-5 所示，必要时可以使用外部电阻器 RLIM 限制晶体驱动电平。如果所选晶体中耗散的功率高于在 RLIM 短接时为晶体规定的驱动电平，则必须使用更大的电阻值以避免过驱晶体。但是，如果晶体中耗散的功率低于 RLIM 短接时的驱动电平，则 RLIM 可以使用零值。作为起始值，RLIM 的建议值为 1.5kΩ。