ZHCSQZ2 November 2025 LM65680
PRODUCTION DATA
使用输入电容器来限制降压功率级中因高 di/dt 开关电流而产生的输入纹波电压。TI 推荐使用采用 X7R 电介质的 1210 陶瓷电容器,在宽温度范围内提供低阻抗和高 RMS 电流承载能力。为了尽可能地减少开关电源环路中的寄生电感,应将输入电容器尽量靠近 VIN 和 PGND 引脚对布置。方程式 11 计算了单相降压稳压器的输入电容器 RMS 电流。
RMS 电流在 D = 0.5 时 达到最大值 IOUT/2。理想情况下,输入电压源提供输入电流的 DC 分量,输入电容器提供 AC 分量。在忽略电感器纹波电流的情况下,降压稳压器的输入电容器会在 D 间隔期间拉出振幅为 (IOUT − IIN) 的电流,并在 1−D 期间灌入振幅为 IIN 的电流。因此,输入电容器会传导峰值间振幅等于输出电流的方波电流。因此,交流纹波电压的相应容性分量为三角波形。结合 ESR 相关的纹波分量,方程式 12 可以计算峰值间纹波电压振幅。
根据 ΔVIN 的输入电压纹波规格,方程式 13 计算出特定负载电流所需的输入电容。
LM65680/60/40 提供了在封装两侧对称放置的 VIN 和 PGND 引脚。这样可以将输入电容器分开布置,并相对于集成功率 MOSFET 进行优化布置,从而提高输入旁路的效果。相向电流环路会产生互抵消磁场,有助于减小传导和辐射发射。四个 4.7μF 或 10μF 陶瓷电容器足以满足大多数应用的要求。此外,必须在每个输入引脚对 [VIN1/PGND1] 和 [VIN2/PGND2] 上放置封装尺寸小(0402 或 0603)的陶瓷电容器,以降低高频下的有效阻抗。