ZHCSTH8I February 2011 – May 2026 LM5045
PRODUCTION DATA
LM5045 提供四个栅极驱动器:两个悬空的高侧栅极驱动器 HO1 和 HO2 以及两个以接地为基准的低侧栅极驱动器 LO1 及 LO2。每个内部驱动器都能够提供 1.5A 峰值拉电流及 2A 峰值灌电流。最初,对角线 HO1 和 LO2 一起导通,然后在所有四个栅极驱动器输出均关断时缩短关断时间。在后续阶段,对角线 HO2 和 LO1 会一起导通,然后经过关断时间。低压侧栅极驱动器由 VCC 稳压器直接供电。HO1 及 HO2 栅极驱动器由分别连接在 BST1/BST2 和 HS1/HS2 之间的自举电容器供电。当相应的开关节点(HS1/HS2 引脚)为低电平时,VCC(阳极引脚)和 BST(阴极引脚)之间连接的外部二极管通过从 VCC 为自举电容器充电来提供高侧栅极驱动器电源。当高侧 MOSFET 导通时,BST1 上升到等于 VCC + VHS1 的峰值电压,其中 VHS1 是开关节点电压。
BST 和 VCC 电容器应靠近 LM5045 的引脚放置,以更大限度地减少寄生电感导致的电压瞬变,因为提供给 MOSFET 栅极的峰值电流可能超过 1.5A。BST 电容器的建议值为 0.1μF 或更大。应使用低 ESR/ESL 电容器(例如表面贴装陶瓷电容器)来防止 HO 转换期间出现压降。
如果 COMP 引脚开路,则输出将以最大占空比运行。每个相位的最大占空比受 RD1 电阻器设置的死区时间的限制。如果 RD1 电阻器设置为零,则由于内部固定的死区时间,最大占空比略小于 50%。内部固定死区时间为 30ns,不随工作频率的变化而变化。每个输出的最大占空比可通过以下公式计算:

其中
例如,如果振荡器频率设置为 400kHz,并且 RD1 电阻器设置的 T1 时间为 60ns,则产生的 DMAX 将等于 0.488。
图 6-3 展示 RD1 设置的最大占空比及死区时间的时序图