ZHCSTH8I February 2011 – May 2026 LM5045
PRODUCTION DATA
与二极管整流相比,变压器次级侧的同步整流 (SR) 可提供更高的效率,尤其适用于低输出电压转换器。MOSFET 的整流器正向压降(0.5V 至 1.5V)降至 10mV 至 200mV VDS 电压,可显著降低整流损耗。在典型应用中,变压器次级绕组为中心抽头绕组,输出功率电感器与中心抽头串联。SR MOSFET 为通电的次级绕组和电感器电流提供接地路径。从图 6-4 中可以看出,当 HO1/LO2 对角线打开时,初级侧的功率传输被启用。在此期间,SR1 MOSFET 导通,SR2 MOSFET 关断。此时,连接到 SR2 MOSFET 漏极的次级绕组是中心抽头电压的两倍。在 HO1/LO2 脉冲结束时,电感器电流继续流过 SR2 MOSFET 体二极管。由于体二极管会比 SR MOSFET 引起更多的损耗,因此可以通过更大限度地缩短 T2 周期,同时在所有条件(元件容差等)下保持足够的时序裕度以防止击穿电流来提高效率。当 HO2/LO1 启用来自初级侧的功率传输时,SR2 MOSFET 导通,SR1 MOSFET 关断。
在续流期间,SR1 和 SR2 MOSFET 之间几乎平均分摊电感器电流,这会有效地使变压器次级侧短路。在 HO1/LO2 导通之前,SR2 MOSFET 会被禁用。SR2 MOSFET 体二极管继续承载大约半电感器电流,直到初级电源升高 SR2 MOSFET 漏极电压并使体二极管反向偏置。理想情况下,死区时间 T1 将设置为在 SR MOSFET 体二极管开始导通之前让 SR MOSFET 关断的最短时间。
SR 驱动器由 REF 稳压器供电,每个 SR 输出能够提供 0.1A 拉电流和 0.4A 峰值灌电流。SR 驱动器的振幅限制为 5V。5V SR 信号让 LM5045 能够通过固态隔离器或脉冲变压器跨隔离栅传输 SR 控制。同步 MOSFET 的实际栅极拉电流和灌电流由次级侧偏置和栅极驱动器提供。
通过在 RD1 和 RD2 引脚与 AGND 之间连接一个电阻器,可以对 T1 和 T2 进行编程。应该注意的是,虽然 RD1 会影响最大占空比,但 RD2 不会。RD1 和 RD2 电阻器应非常靠近器件。RD1 和 RD2 电阻器的公式如下所示:

如果 T1 所需的死区时间为 60ns,则 RD1 将为 20kΩ。
图 6-4 同步整流器时序图