ZHCSLW7B August 2022 – October 2023 DRV8462
PRODUCTION DATA
应使用推荐电容为 0.01µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 PGND 引脚。此类电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的布线或接地平面与器件 PGND 引脚连接。
应使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路至 PGND。该组件可以是电解电容器。
必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.1µF、额定电压为 VM 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 1µF、额定电压为 16V 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为 1µF、额定电压为 6.3 V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
使用低 ESR 陶瓷电容器将 VCC 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为 0.1µF、额定电压为 6.3 V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
通常，必须避免电源引脚和去耦电容器之间的电感。
DDW 封装的散热焊盘必须连接至系统地。
建议整个系统/电路板使用一个大的不间断单一接地平面。接地平面可在 PCB 底层制成。
为了尽可能地减小阻抗和电感，在通过通孔连接至底层接地平面之前，接地引脚的布线应尽可能短且宽。
建议使用多个通孔来降低阻抗。
尽量清理器件周围的空间（尤其是在 PCB 底层），从而改善散热。
连接至散热焊盘的单个或多个内部接地平面也有助于散热并降低热阻。