ZHCSX84A October   2024  – March 2025 DRV8376

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 从模式时序
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出级
      2. 7.3.2  控制模式
        1. 7.3.2.1 6x PWM 模式（PWM_MODE = 00b 或 01b 或者 MODE_SR 引脚连接至 AGND 或处于高阻态）
        2. 7.3.2.2 3x PWM 模式（PWM_MODE = 10b 或 11b 或 MODE_SR 引脚连接至 GVDD 或通过 RMODE 连接至 GVDD）
      3. 7.3.3  器件接口模式
        1. 7.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.3.2 硬件接口
      4. 7.3.4  AVDD 和 GVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5  电荷泵
      6. 7.3.6  压摆率控制
      7. 7.3.7  跨导（死区时间）
      8. 7.3.8  传播延迟
      9. 7.3.9  引脚图
        1. 7.3.9.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 7.3.9.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 7.3.9.3 开漏引脚
        4. 7.3.9.4 推挽引脚
        5. 7.3.9.5 四电平输入引脚
      10. 7.3.10 电流检测放大器
        1. 7.3.10.1 电流检测放大器操作
      11. 7.3.11 主动消磁
        1. 7.3.11.1 自动同步整流模式（ASR 模式）
          1. 7.3.11.1.1 自动同步整流（换向模式）
          2. 7.3.11.1.2 自动同步整流（PWM 模式）
        2. 7.3.11.2 自动异步整流模式（AAR 模式）
      12. 7.3.12 逐周期电流限制
        1. 7.3.12.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 VM 电源欠压锁定 (RESET)
        2. 7.3.13.2 AVDD 欠压保护 (AVDD_UV)
        3. 7.3.13.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.13.4 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 7.3.13.5 过压保护 (OV)
        6. 7.3.13.6 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.13.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 7.3.13.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 7.3.13.6.3 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 7.3.13.6.4 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 11b)
        7. 7.3.13.7 热警告 (OTW)
        8. 7.3.13.8 热关断 (OTS)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
      2. 7.4.2 DRVOFF 功能
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 编程
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 状态寄存器
    2. 8.2 控制寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 9.2.1.1 详细设计过程
          1. 9.2.1.1.1 电机电压
          2. 9.2.1.1.2 使用主动消磁
          3. 9.2.1.1.3 电流限制实现
          4. 9.2.1.1.4 电流检测和输出滤波
          5. 9.2.1.1.5 功率损耗和结温损耗
        2. 9.2.1.2 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 大容量电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
      3. 9.4.3 散热注意事项
        1. 9.4.3.1 功率耗散
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +150°C，VVM = 4.5V 至 65V（除非另有说明）。典型限值适用于 TA = 25°C、VVM = 24V
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
IVMQ VM 睡眠模式电流 VVM > 6V，nSLEEP = 0，TA = 25°C 1.5 3 µA
nSLEEP = 0 2.5 8 µA
IVMS VM 待机模式电流
 		 VVM > 6V，nSLEEP = 1，INHx = INLx = 0，SPI =“关闭”，TA = 25°C 6.6 8.2 mA
nSLEEP = 1，INHx = INLx = 0，SPI =“关闭” 6.6 8.2 mA
IVMS VM 待机模式电流
 		 VVM> 6V，nSLEEP = 1，INHx = INLx = 0，SPI =“关闭”，TA = 25°C，ASR 和 AAR 禁用 6.1 7.5 mA
IVMS VM 待机模式电流
 		 nSLEEP = 1，INHx = INLx = 0，SPI =“关闭”，ASR 和 AAR 禁用 6.1 7.5 mA
IVM VM 工作模式电流
 		 VVM > 6V，nSLEEP = 1，fPWM = 20kHz 7.6 9.8 mA
 nSLEEP =1，fPWM = 20kHz 7.6 9.8 mA
nSLEEP =1，fPWM = 100kHz 10.1 13.4 mA
VGVDD 模拟稳压器电压 0mA ≤ IGVDD ≤ 30mA；（外部负载）；VM > 6V 4.75 5 5.25 V
VGVDD 模拟稳压器电压 0mA ≤ IGVDD ≤ 30mA；（外部负载）；VM = 4.5V 3.7 4.5 V
VAVDD 模拟稳压器电压 0mA ≤ IAVDD ≤ 30mA；（外部负载） 3.1 3.3 3.465 V
IGVDD 外部模拟稳压器负载 IAVDD = 0mA 30 mA
IAVDD 外部模拟稳压器负载 IGVDD = 0mA 30 mA
VVCP 电荷泵稳压器电压 VCP 相对于 VM，(VVM > 6V) 4 5 6 V
tWAKE 唤醒时间 VVM > VUVLO，nSLEEP = 1 以使输出就绪，且 nFAULT 已释放 5.5 ms
tSLEEP 睡眠脉冲时间 nSLEEP = 0 进入睡眠模式的周期 120 µs
tRST 复位脉冲时间 nSLEEP = 0 复位故障的周期 20 40 µs
逻辑电平输入（DRVOFF、INHx、INLx、nSLEEP、SCLK、SDI、OCP）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 nSLEEP 1.6 5.5 V
其他引脚 1.5 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 nSLEEP 95 300 425 mV
其他引脚 180 300 425 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VPIN（引脚电压）= 0V -1 1 µA
IIH 输入逻辑高电流 nSLEEP，VPIN（引脚电压）= 5V 15 35 µA
IIH 输入逻辑高电流 其他引脚，VPIN（引脚电压）= 5V 30 75 µA
RPD 输入下拉电阻 nSLEEP 150 200 300 kΩ
其他引脚 70 100 130 kΩ
tGED 抗尖峰脉冲时间 DRVOFF 引脚 0.6 1.15 1.7 µs
CID 输入电容 30 pF
逻辑电平输入 (nSCS)
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.5 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 300 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VPIN（引脚电压）= 0V 75 µA
IIH 输入逻辑高电流 VPIN（引脚电压）= 5V -1 25 µA
RPU 输入上拉电阻 80 100 130 kΩ
CID 输入电容 30 pF
四电平输入（GAIN、MODE_SR、SLEW）
VL1 输入模式 1 电压 连接至 AGND 0 0.2*GVDD V
VL2 输入模式 2 电压 高阻态 0.27*GVDD 0.5*GVDD 0.55*GVDD V
VL3 输入模式 3 电压 47kΩ +/- 5% 连接至 GVDD 0.6*GVDD 0.76*GVDD 0.9*GVDD V
VL4 输入模式 4 电压 连接至 GVDD 0.94*GVDD GVDD V
RPU 输入上拉电阻 至 GVDD 80 100 120 kΩ
RPD 输入下拉电阻 至 AGND 80 100 120 kΩ
开漏输出（nFAULT）
VOL 输出逻辑低电平电压 IOD = 5mA 0.4 V
IOH 输出逻辑高电平电流 VOD = 5V -1 1 µA
COD 输出电容 30 pF
推挽式输出 (SDO)
VOL 输出逻辑低电平电压 IOP = 5mA 0 0.4 V
VOH 输出逻辑高电压 IOP = 5mA，SDO_VSEL = 0 2.5 AVDD V
VOH 输出逻辑高电压 IOP = 5mA，SDO_VSEL = 1，VVM > 6V 4 GVDD V
IOL 输出逻辑低电平漏电流 VOP = 0V -1 1 µA
IOH 输出逻辑高电平漏电流 VOP = 5V -1 1 µA
COD 输出电容 30 pF
驱动器输出
RDS(ON) MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧） VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 400 505 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 407 515 mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C 690 790 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C 705 810 mΩ
SR 相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）
 		 VVM = 24V，SLEW = 00b 或 SLEW 引脚连接至 AGND，IOUTx = 1A 630 1100 1760 V/us
VVM = 24V，SLEW = 01b 或 SLEW 引脚连接至高阻态，IOUTx = 1A 260 500 900 V/us
VVM = 24V，SLEW = 10b 或 SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 GVDD，IOUTx = 1A 135 250 455 V/us
VVM = 24V，SLEW = 11b 或 SLEW 引脚连接至 GVDD，IOUTx = 1A 22 60 90 V/us
SR 相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）
 		 VVM = 24V，SLEW = 00b 或 SLEW 引脚连接至 AGND，IOUTx = 1A 500 1100 1760 V/us
VVM = 24V，SLEW = 01b 或 SLEW 引脚连接至高阻态，IOUTx = 1A 240 500 845 V/us
VVM = 24V，SLEW = 10b 或 SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 GVDD，IOUTx = 1A 120 250 490 V/us
VVM = 24V，SLEW = 11b 或 SLEW 引脚连接至 GVDD，IOUTx = 1A 30 50 85 V/us
ILEAK OUTx 上的漏电流 VOUTx = VVM，nSLEEP = 1 2 mA
OUTx 上的漏电流  VOUTx = 0V，nSLEEP = 1 1 µA
tDEAD 输出死区时间（高电平到低电平/低电平到高电平） VVM = 24V，SLEW = 00b 或 SLEW 引脚连接至 AGND，HS 驱动器开启至 LS 驱动器关闭 65 150 ns
VVM = 24V，SLEW = 01b 或 SLEW 引脚连接至高阻态，HS 驱动器开启至 LS 驱动器关闭 100 250 ns
VVM = 24V，SLEW = 10b 或 SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 GVDD，HS 驱动器开启至 LS 驱动器关闭 100 250 ns
VVM = 24V，SLEW = 11b 或 SLEW 引脚连接至 GVDD，HS 驱动器开启至 LS 驱动器关闭 250 550 ns
tPD 传播延迟（高侧/低侧开/关） VVM = 24V，INHx = 1 至 OUTx 转换，SLEW = 00b 或 SLEW 引脚连接至 AGND 35 85 ns
VVM = 24V，INHx = 1 至 OUTx 转换， SLEW = 01b 或 SLEW 引脚连接至高阻态 40 100 ns
VVM = 24V，INHx = 1 至 OUTx 转换，SLEW = 10b 或 SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 GVDD 45 140 ns
VVM = 24V，INHx = 1 至 OUTx 转换，SLEW = 11b 或 SLEW 引脚连接至 GVDD 1200 1900 ns
tMIN_PULSE 最小输出脉冲宽度
SLEW = 00b 或 SLEW 引脚连接至 AGND
 		 110 ns
电流检测放大器
GCSA 电流检测增益（SPI 器件） CSA_GAIN = 00 0.4 V/A
GCSA 电流检测增益（SPI 器件） CSA_GAIN = 01 1 V/A
GCSA 电流检测增益（SPI 器件） CSA_GAIN = 02 2.5 V/A
GCSA 电流检测增益（SPI 器件） CSA_GAIN = 03 5 V/A
GCSA 电流检测增益（硬件器件） GAIN 引脚连接至 AGND 0.4 V/A
GCSA 电流检测增益（硬件器件） GAIN 引脚至高阻态 1 V/A
GCSA 电流检测增益（硬件器件） GAIN 引脚至 47kΩ ± 5% 至 GVDD 2.5 V/A
GCSA 电流检测增益（硬件器件） GAIN 引脚连接至 GVDD 5 V/A
GCSA_ERR 电流检测增益误差 TJ = 25°C，0A ≤ LS FET 电流 ≤ 2.5A（电流方向为从 OUTx 到 PGND） -4 4 %
TJ = 25°C，2.5A ≤ LS FET 电流 ≤ 3.5A（电流方向为从 OUTx 到 PGND） -5 5 %
0A ≤ LS FET 电流 ≤ 2.5A（电流方向为从 OUTx 到 PGND） -5 5 %
2.5A ≤ LS FET 电流 ≤ 3.5A（电流方向为从 OUTx 到 PGND） -5 8.7 %
GCSA_ERR 电流检测增益误差 TJ = 25°C，0A ≤ LS FET 电流> ≤ 2A（电流方向为从 PGND 到 OUTx） -4 4 %
GCSA_ERR 电流检测增益误差 0A < LS FET 电流 ≤ 2A；（电流方向为从 PGND 到 OUTx） -6 6 %
IMATCH A、B 和 C 相之间的电流检测增益误差匹配 TA = 25°C -5 5 %
-5 5 %
FSPOS 满标量程正电流测量 LS FET 中电流方向为从 PGND 到 OUTx，VREF = 3.3V 2 A
FSNEG 满标量程负电流测量 LS FET 中电流方向为从 OUTx 到 PGND，VREF = 3.3V -3.5 A
VLINEAR SOX 输出电压线性范围 0.25 VREF-0.25 V
IOFFSET 电流检测偏移 TJ = 25°C，相电流 = 0A，VREF ≤ 3.6V -20 -10 5 mA
IOFFSET 电流检测偏移 TJ = 25°C，相电流 = 0A，3.6V ≤ VREF ≤ 5.5V -20 -10 10 mA
tSET 达到 ±1% 的稳定时间，30pF SOX 上的阶跃 = 1.2V 1.2 μs
tCSA_ON_DELAY 从 INLx 开启到电流检测放大器开启的延迟  SR = 1000V/μs、500V/μs 或 250V/μs 500 700 ns
tCSA_ON_DELAY 从 INLx 开启到电流检测放大器开启的延迟 SR = 50V/μs 4300 5000 ns
IDRIFT 漂移失调电压 相电流 = 0A -60 60 µA/C
IVREF VREF 输入电流 VREF = 3.0V，nSLEEP = 0 或 1 15 µA
逐脉冲电流限制
VLIM 逐周期电流限制条件下 ILIMIT 引脚上的电压 VREF/2 VREF - 0.25 V
VLIM_DIS ILIMIT 引脚上用于禁用逐周期电流限制的电压 VREF GVDD V
ILIMIT 与 VLIM 引脚电压范围对应的电流限制 0 4 A
ILIM_AC 电流限制准确度 VREF = 3.3V，ILIMIT > 1A -6 6 %
ILIM_AC 电流限制准确度 VREF = 3.3V，0.5A < ILIMIT < 1A -10 10 %
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 00b、01b 或 10b，ILIM_BLANK_SEL = 00b，硬件型号 1.75 µs
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 00b、01b 或 10b，ILIM_BLANK_SEL = 01b 2.25 µs
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 00b、01b 或 10b，ILIM_BLANK_SEL = 10b 2.75 µs
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 00b、01b 或 10b，ILIM_BLANK_SEL = 11b 3.75 µs
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 11b，ILIM_BLANK_SEL = 00b，硬件型号 5.5 µs
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 11b，ILIM_BLANK_SEL = 01b 6 µs
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 11b，ILIM_BLANK_SEL = 10b 6.5 µs
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 SLEW = 11b，ILIM_BLANK_SEL = 11b 7.5 µs
保护电路
VUVLO 电源欠压锁定 (UVLO) VM 上升 4.2 4.35 4.5 V
VM 下降 4.0 4.15 4.3 V
VUVLO_HYS 电源欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 65 200 415 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 3 6 10 µs
VOVP 电源过压保护 (OVP)
（SPI 器件）		 电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 0 60 62.5 65 V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 0 58 61 63.5 V
电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1 32.5 34 35 V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1 32 33 34 V
VOVP_HYS 电源过压保护 (OVP)
（SPI 器件）		 上升至下降阈值，OVP_SEL = 1 0.74 0.8 0.85 V
上升至下降阈值，OVP_SEL = 0 1.35 1.45 1.55 V
tOVP 电源过压抗尖峰脉冲时间 2.5 6.5 12 µs
VCPUV 电荷泵欠压锁定（高于 VM） 电源上升 2.1 2.7 3.2 V
电源下降 1.8 2.45 2.95 V
VCPUV_HYS 电荷泵 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 105 150 200 mV
VAVDD_UV 模拟稳压器欠压锁定 电源上升 2.7 2.85 3 V
电源下降 2.5 2.65 2.8 V
VAVDD_UV_HYS 模拟稳压器欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 180 200 240 mV
VGVDD_UV GVDD 稳压器欠压锁定 电源上升 3.1 3.3 3.5 V
VGVDD_UV GVDD 稳压器欠压锁定 电源下降 2.9 3.1 3.3 V
VGVDD_UV_HYS 模拟稳压器欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 145 190 265 mV
IOCP 过流保护跳变点（SPI 器件） OCP_LVL = 00b 或 01b 4.5 9 A
IOCP 过流保护跳变点（SPI 器件） OCP_LVL = 10b 或 11b 2.5 5 A
IOCP 过流保护跳变点（硬件器件） OCP 引脚连接至 AGND 或 OCP 引脚处于高阻态 4.5 9 A
IOCP 过流保护跳变点（硬件器件） OCP 连接至 GVDD 2.5 5 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间
（SPI 器件）		 OCP_DEG = 00b 0.2 0.6 1.2 µs
OCP_DEG = 01b 0.6 1.25 1.8 µs
OCP_DEG = 10b 1 1.6 2.5 µs
OCP_DEG = 11b 1.4 2 3 µs
过流保护抗尖峰脉冲时间
（硬件器件）		 0.6 1.25 2 µs
tRETRY 过流保护重试时间
（SPI 器件）		 OCP_RETRY = 0 4 5 6 ms
OCP_RETRY = 1 425 500 575 ms
tRETRY 过流保护重试时间
（硬件器件）		 4 5 6 ms
TOTW 热警告温度 芯片温度 (TJ) 160 170 180 °C
TOTW_HYS 热警告迟滞 芯片温度 (TJ) 25 30 35 °C
TTSD 热关断温度  芯片温度 (TJ) 175 185 195 °C
TTSD_HYS 热关断迟滞  芯片温度 (TJ) 25 30 35 °C